WST2088 N-канал 20V 8.8A SOT-23-3L WINSOK MOSFET

буюмдар

WST2088 N-канал 20V 8.8A SOT-23-3L WINSOK MOSFET

кыскача сүрөттөмө:


  • Модель номери:WST2088
  • BVDSS:20V
  • RDSON:8мΩ
  • ID:8.8A
  • Канал:N-канал
  • Пакет:СОТ-23-3Л
  • Продукт жайкы:WST2088 MOSFET чыңалуусу 20V, ток 8.8А, каршылыгы 8мΩ, канал N-канал жана пакет SOT-23-3L.
  • Тиркемелер:Электрондук тамекилер, контроллерлор, санариптик аппараттар, чакан тиричилик техникасы жана керектөөчү электроника.
  • Продукт чоо-жайы

    Колдонмо

    Продукт тегдери

    Жалпы сүрөттөмө

    WST2088 MOSFETs рыноктогу эң өнүккөн N-канал транзисторлору. Алар укмуштуудай жогорку клетка тыгыздыгына ээ, бул эң сонун RDSON жана дарбаза зарядына алып келет. Бул MOSFETтер кичинекей кубаттуулукту которуштуруу жана жүктөө которуштуруу колдонмолору үчүн идеалдуу. Алар RoHS жана Green Product талаптарына жооп берет жана ишенимдүүлүгү үчүн толугу менен сыналган.

    Өзгөчөлүктөрү

    Клетка тыгыздыгы, Super Low Gate Charge жана эң сонун Cdv/dt эффектиси төмөндөп, аны Жашыл Түзмөккө айландырган Advanced Trench технологиясы.

    Тиркемелер

    Power колдонмолору, катуу коммутациялык жана жогорку жыштыктагы схемалар, үзгүлтүксүз электр булактары, электрондук тамекилер, контроллерлор, электрондук шаймандар, чакан үй приборлору жана керектөөчү электроника.

    тиешелүү материал номери

    AO AO3416, DINTEK DTS2300A DTS2318 DTS2314 DTS2316 DTS2322 DTS3214, ж.б.

    Маанилүү параметрлер

    Символ Параметр Рейтинг Бирдиктер
    VDS Дренаждын булагы Voltage 20 V
    VGS Gate-Source Voltage ±12 V
    ID@Tc=25℃ Үзгүлтүксүз агызуучу ток, VGS @ 4.5V 8.8 A
    ID@Tc=70℃ Үзгүлтүксүз агызуучу ток, VGS @ 4.5V 6.2 A
    IDP Импульстук дренаждык ток 40 A
    PD@TA=25℃ Толук кубаттуулуктун чыгымдалышы 1.5 W
    TSTG Сактоо Температура диапазону -55тен 150гө чейин
    TJ Иштөө түйүнүнүн температура диапазону -55тен 150гө чейин

    Электрдик мүнөздөмөлөр (TJ = 25 ℃, башкача белгиленбесе)

    Символ Параметр Шарттар Мин. Typ. Макс. бирдиги
    BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V, ID=250uA 20 --- --- V
    △BVDSS/△TJ BVDSS температуралык коэффициенти 25℃ шилтемеси, ID=1mA --- 0.018 --- V/℃
    RDS(КҮЙҮК) Static Drain-Source On-Resistance2 VGS=4,5V, ID=6A --- 8 13 мΩ
    VGS=2,5V, ID=5A --- 10 19
    VGS(th) Дарбаза босогосу VGS=VDS, ID =250uA 0.5 --- 1.3 V
    IDSS Дренаждык булактан агып кетүү агымы VDS=16V , VGS=0V. --- --- 10 uA
    IGSS Gate-Source Leakage Current VGS=±12V , VDS=0V --- --- ±100 nA
    Qg Жалпы дарбаза заряды VDS=15V, VGS=4,5V, ID=6A --- 16 --- nC
    Qgs Gate-Source Charge --- 3 ---
    Qgd Gate-Dren Charge --- 4.5 ---
    Td(күйгүзүлгөн) Күйгүзүүнүн кечигүү убактысы VDS=10V, VGS=4.5V,RG=3.3Ω ID=1A --- 10 --- ns
    Tr Rise Time --- 13 ---
    Td(өчүрүү) Өчүрүү кечигүү убактысы --- 28 ---
    Tf Күз мезгили --- 7 ---
    Ciss Киргизүү сыйымдуулугу VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz --- 1400 --- pF
    Coss Output Capacitance --- 170 ---
    Crss Reverse Transfer Capacitance --- 135 ---

  • Мурунку:
  • Кийинки:

  • Бул жерге билдирүүңүздү жазып, бизге жөнөтүңүз