WST2088A N-канал 20V 7.5A SOT-23-3L WINSOK MOSFET

буюмдар

WST2088A N-канал 20V 7.5A SOT-23-3L WINSOK MOSFET

кыскача сүрөттөмө:


  • Модель номери:WST2088A
  • BVDSS:20V
  • RDSON:10,7мΩ
  • ID:7.5A
  • Канал:N-канал
  • Пакет:СОТ-23-3Л
  • Продукт жайкы:WST2088A MOSFET чыңалуусу 20V, ток 7.5А, каршылыгы 10.7mΩ, канал N-канал жана пакет SOT-23-3L.
  • Тиркемелер:Электрондук тамекилер, контроллерлор, санариптик буюмдар, чакан тиричилик техникасы, керектөөчү электроника ж.б.
  • Продукт чоо-жайы

    Колдонмо

    Продукт тегдери

    Жалпы сүрөттөмө

    WST2088A - бул эң жогорку сапаттагы N-ch MOSFET траншеясы, клетканын тыгыздыгы өтө жогору, ал кичинекей кубаттуулукту которуштуруу жана жүктөө которуштуруу колдонмолорунун көбү үчүн мыкты RDSON жана дарбаза зарядын камсыз кылат. WST2088A RoHS жана Green Product талаптарына жооп берет жана толук функциянын ишенимдүүлүгү бекитилген.

    Өзгөчөлүктөрү

    Өркүндөтүлгөн жогорку клетка тыгыздыгы Тренч технологиясы, Super Low Gate Charge, Cdv/dt эффектинин эң жакшы төмөндөшү, Жашыл түзмөк жеткиликтүү

    Тиркемелер

    Power коммутациялык колдонмо, Катуу которулган жана Жогорку жыштык схемалары, Үзгүлтүксүз электр менен жабдуу, Электрондук тамекилер, контроллерлор, санарип буюмдары, чакан тиричилик техникасы, керектөөчү электроника ж.

    тиешелүү материал номери

    AO AO3416, ON NTR3C21NZ, VISHAY Si2312CDS, Nxperian PMV16XN ж.б.

    Маанилүү параметрлер

    Электрдик мүнөздөмөлөр (TJ = 25 ℃, башкача белгиленбесе)

    Символ Параметр Рейтинг Бирдиктер
    VDS Дренаждын булагы Voltage 20 V
    VGS Gate-Source Voltage ±12 V
    ID@Tc=25℃ Үзгүлтүксүз агызуучу ток, VGS @ 4.5V 7.5 A
    ID@Tc=70℃ Үзгүлтүксүз агызуучу ток, VGS @ 4.5V 4.5 A
    IDP Импульстук дренаждык ток 24 A
    PD@TA=25℃ Толук кубаттуулуктун чыгымдалышы 1.25 W
    TSTG Сактоо Температура диапазону -55тен 150гө чейин
    TJ Иштөө түйүнүнүн температура диапазону -55тен 150гө чейин
    Символ Параметр Шарттар Мин. Typ. Макс. бирдиги
    BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V, ID=250uA 20 --- --- V
    △BVDSS/△TJ BVDSS температуралык коэффициенти 25℃ шилтемеси, ID=1mA --- 0.018 --- V/℃
    RDS(КҮЙҮК) Static Drain-Source On-Resistance2 VGS=4,5V , ID=6A --- 10.7 14 мΩ
    VGS=2,5V , ID=5A --- 12.8 17
    VGS(th) Дарбаза босогосу VGS=VDS, ID =250uA 0.4 0,63 1.2 V
    IDSS Дренаждык булактан агып кетүү агымы VDS=16V , VGS=0V. --- --- 10 uA
    IGSS Gate-Source Leakage Current VGS=±12V , VDS=0V --- --- ±100 nA
    Qg Жалпы дарбаза заряды VDS=15V, VGS=4,5V, ID=6A --- 10 --- nC
    Qgs Gate-Source Charge --- 1.6 ---
    Qgd Gate-Dren Charge --- 3.4 ---
    Td(күйгүзүлгөн) Күйгүзүүнүн кечигүү убактысы VDS=10V, VGS=4.5V,RG=3.3Ω ID=1A --- 8 --- ns
    Tr Rise Time --- 15 ---
    Td(өчүрүү) Өчүрүү кечигүү убактысы --- 33 ---
    Tf Күз мезгили --- 13 ---
    Ciss Киргизүү сыйымдуулугу VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz --- 590 --- pF
    Coss Output Capacitance --- 125 ---
    Crss Reverse Transfer Capacitance --- 90 ---

  • Мурунку:
  • Кийинки:

  • Бул жерге билдирүүңүздү жазып, бизге жөнөтүңүз