WSM340N10G N-канал 100V 340A TOLL-8L WINSOK MOSFET

буюмдар

WSM340N10G N-канал 100V 340A TOLL-8L WINSOK MOSFET

кыскача сүрөттөмө:


  • Модель номери:WSM340N10G
  • BVDSS:100V
  • RDSON:1,6мΩ
  • ID:340A
  • Канал:N-канал
  • Пакет:TOLL-8L
  • Продукт жайкы:WSM340N10G MOSFET чыңалуусу 100V, ток 340A, каршылыгы 1.6mΩ, канал N-канал жана пакет TOLL-8L.
  • Тиркемелер:Медициналык жабдуулар, дрондор, PD энергия булактары, LED энергия булактары, өнөр жай жабдуулары ж.б.
  • Продукт чоо-жайы

    Колдонмо

    Продукт тегдери

    Жалпы сүрөттөмө

    WSM340N10G - бул эң жогорку натыйжалуу N-Ch MOSFET траншеясы, клетка тыгыздыгы өтө жогору, ал синхрондуу бак конвертер колдонмолорунун көбү үчүн мыкты RDSON жана дарбаза зарядын камсыз кылат. WSM340N10G RoHS жана Green Product талаптарына жооп берет, 100% EAS кепилденген, толук функциянын ишенимдүүлүгү бекитилген.

    Өзгөчөлүктөрү

    Өркүндөтүлгөн жогорку клетка тыгыздыгы Тренч технологиясы, Super Low Gate Charge, CdV/dt эффектинин эң жакшы төмөндөшү, 100% EAS Кепилдиги, Жашыл түзмөк жеткиликтүү.

    Тиркемелер

    Синхрондук ректификация, DC/DC конвертер, жүктөө которгучу, медициналык жабдуулар, дрондор, PD энергия булактары, LED энергия булактары, өнөр жай жабдуулары ж.

    Маанилүү параметрлер

    Абсолюттук максималдуу рейтингдер

    Символ Параметр Рейтинг Бирдиктер
    VDS Дренаждын булагы Voltage 100 V
    VGS Gate-Source Voltage ±20 V
    ID@TC=25℃ Үзгүлтүксүз агызуучу ток, VGS @ 10V 340 A
    ID@TC=100℃ Үзгүлтүксүз агызуучу ток, VGS @ 10V 230 A
    IDM Импульстүү дренаждык ток..TC=25°C 1150 A
    EAS Көчкү энергиясы, Бир импульс, L=0,5mH 1800 mJ
    IAS Көчкү агымы, Жалгыз импульс, L=0,5mH 120 A
    PD@TC=25℃ Толук кубаттуулуктун чыгымдалышы 375 W
    PD@TC=100℃ Толук кубаттуулуктун чыгымдалышы 187 W
    TSTG Сактоо Температура диапазону -55тен 175ке чейин
    TJ Иштөө түйүнүнүн температура диапазону 175

    Электрдик мүнөздөмөлөрү (TJ = 25 ℃, башкача белгиленбесе)

    Символ Параметр Шарттар Мин. Typ. Макс. бирдиги
    BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V, ID=250uA 100 --- --- V
    △BVDSS/△TJ BVDSS температуралык коэффициенти 25℃ шилтемеси, ID=1mA --- 0.096 --- V/℃
    RDS(КҮЙҮК) Static Drain-Source On-Resistance VGS=10V,ID=50A --- 1.6 2.3 мΩ
    VGS(th) Дарбаза босогосу VGS=VDS, ID =250uA 2.0 3.0 4.0 V
    △VGS(th) VGS(th) Температура коэффициенти --- -5.5 --- мВ/℃
    IDSS Дренаждык булактан агып кетүү агымы VDS=85V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
    VDS=85V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 10
    IGSS Gate-Source Leakage Current VGS=±25V , VDS=0V --- --- ±100 nA
    Rg Gate Resistance VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 1.0 --- Ω
    Qg Жалпы дарбаза заряды (10V) VDS=50V, VGS=10V, ID=50A --- 260 --- nC
    Qgs Gate-Source Charge --- 80 ---
    Qgd Gate-Dren Charge --- 60 ---
    Td(күйгүзүлгөн) Күйгүзүүнүн кечигүү убактысы VDD=50V , VGS=10V ,RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=1A. --- 88 --- ns
    Tr Rise Time --- 50 ---
    Td(өчүрүү) Өчүрүү кечигүү убактысы --- 228 ---
    Tf Күз мезгили --- 322 ---
    Ciss Киргизүү сыйымдуулугу VDS=40V, VGS=0V, f=1MHz --- 13900 --- pF
    Coss Output Capacitance --- 6160 ---
    Crss Reverse Transfer Capacitance --- 220 ---

  • Мурунку:
  • Кийинки:

  • Бул жерге билдирүүңүздү жазып, бизге жөнөтүңүз