WSM320N04G N-канал 40V 320A TOLL-8L WINSOK MOSFET

буюмдар

WSM320N04G N-канал 40V 320A TOLL-8L WINSOK MOSFET

кыскача сүрөттөмө:


  • Модель номери:WSM320N04G
  • BVDSS:40V
  • RDSON:1,2мΩ
  • ID:320A
  • Канал:N-канал
  • Пакет:TOLL-8L
  • Продукт жайкы:WSM320N04G MOSFET 40V чыңалуу, 320A ток, 1.2mΩ каршылык, N-канал жана TOLL-8L пакетине ээ.
  • Тиркемелер:Электрондук тамекилер, зымсыз кубаттоо, дрондор, медициналык, унааларды заряддоо, контроллерлор, санариптик буюмдар, чакан тиричилик техникасы, керектөөчү электроника.
  • Продукт чоо-жайы

    Колдонмо

    Продукт тегдери

    Жалпы сүрөттөмө

    WSM320N04G траншея дизайнын колдонгон жана клетка тыгыздыгы өтө жогору болгон жогорку натыйжалуу MOSFET. Ал мыкты RDSON жана дарбаза зарядына ээ жана көпчүлүк синхрондуу бак конвертер колдонмолоруна ылайыктуу. WSM320N04G RoHS жана Green Product талаптарына жооп берет жана 100% EAS жана толук функциянын ишенимдүүлүгүнө кепилдик берилет.

    Өзгөчөлүктөрү

    Өркүндөтүлгөн жогорку клетка тыгыздыгы Trench технологиясы, ошондой эле оптималдуу иштеши үчүн аз дарбаза заряды бар. Андан тышкары, ал мыкты CdV/dt эффектинин төмөндөшү, 100% EAS Кепилдиги жана экологиялык таза варианты менен мактанат.

    Тиркемелер

    Жогорку жыштыктагы жүктөө синхрондук конвертер, тармактык DC-DC электр тутуму, электр куралы колдонмосу, электрондук тамекилер, зымсыз кубаттоо, дрондор, медициналык, унааларды заряддоо, контроллерлор, санариптик буюмдар, чакан тиричилик техникасы жана керектөөчү электроника.

    Маанилүү параметрлер

    Символ Параметр Рейтинг Бирдиктер
    VDS Дренаждын булагы Voltage 40 V
    VGS Gate-Source Voltage ±20 V
    ID@TC=25℃ Үзгүлтүксүз агызуучу ток, VGS @ 10V1,7 320 A
    ID@TC=100℃ Үзгүлтүксүз агызуучу ток, VGS @ 10V1,7 192 A
    IDM Импульстүү дренаждык ток2 900 A
    EAS Single Pulse Avalanche Energy3 980 mJ
    IAS Көчкү агымы 70 A
    PD@TC=25℃ Жалпы кубаттуулукту сарптоо4 250 W
    TSTG Сактоо Температура диапазону -55тен 175ке чейин
    TJ Иштөө түйүнүнүн температура диапазону -55тен 175ке чейин
    Символ Параметр Шарттар Мин. Typ. Макс. бирдиги
    BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V, ID=250uA 40 --- --- V
    △BVDSS/△TJ BVDSS температуралык коэффициенти 25℃ шилтемеси, ID=1mA --- 0.050 --- V/℃
    RDS(КҮЙҮК) Static Drain-Source On-Resistance2 VGS=10V , ID=25A --- 1.2 1.5 мΩ
    RDS(КҮЙҮК) Static Drain-Source On-Resistance2 VGS=4,5V , ID=20A --- 1.7 2.5 мΩ
    VGS(th) Дарбаза босогосу VGS=VDS, ID =250uA 1.2 1.7 2.6 V
    △VGS(th) VGS(th) Температура коэффициенти --- -6,94 --- мВ/℃
    IDSS Дренаждык булактан агып кетүү агымы VDS=40V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
    VDS=40V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 10
    IGSS Gate-Source Leakage Current VGS=±20V , VDS=0V --- --- ±100 nA
    gfs Forward Transconductance VDS=5V, ID=50A --- 160 --- S
    Rg Gate Resistance VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 1.0 --- Ω
    Qg Жалпы дарбаза заряды (10V) VDS=20V, VGS=10V, ID=25A --- 130 --- nC
    Qgs Gate-Source Charge --- 43 ---
    Qgd Gate-Dren Charge --- 83 ---
    Td(күйгүзүлгөн) Күйгүзүүнүн кечигүү убактысы VDD=20V, VGEN=4,5V, RG=2,7Ω, ID=1A. --- 30 --- ns
    Tr Rise Time --- 115 ---
    Td(өчүрүү) Өчүрүү кечигүү убактысы --- 95 ---
    Tf Күз мезгили --- 80 ---
    Ciss Киргизүү сыйымдуулугу VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz --- 8100 --- pF
    Coss Output Capacitance --- 1200 ---
    Crss Reverse Transfer Capacitance --- 800 ---

  • Мурунку:
  • Кийинки:

  • Бул жерге билдирүүңүздү жазып, бизге жөнөтүңүз