WSP4088 N-канал 40V 11A SOP-8 WINSOK MOSFET

буюмдар

WSP4088 N-канал 40V 11A SOP-8 WINSOK MOSFET

кыскача сүрөттөмө:


  • Модель номери:WSP4088
  • BVDSS:40V
  • RDSON:13мΩ
  • ID:11А
  • Канал:N-канал
  • Пакет:СОП-8
  • Продукт жайкы:WSP4088 MOSFET чыңалуусу 40V, ток 11А, каршылыгы 13mΩ, канал N-канал, пакети SOP-8.
  • Тиркемелер:Электрондук тамекилер, зымсыз кубаттоо, моторлор, дрондор, медициналык, унаа заряддоо, контроллерлор, санариптик буюмдар, чакан тиричилик техникасы, керектөөчү электроника ж.
  • Продукт чоо-жайы

    Колдонмо

    Продукт тегдери

    Жалпы сүрөттөмө

    WSP4088 - бул эң жогорку өндүрүмдүү транш N-канал MOSFET, клетканын тыгыздыгы абдан жогорку RDSON жана көпчүлүк синхрондуу бак конвертер тиркемелери үчүн дарбаза зарядын камсыз кылат. WSP4088 RoHS жана жашыл продукт талаптарына жооп берет, 100% EAS кепилдик, толук иш ишенимдүүлүгү бекитилген.

    Өзгөчөлүктөрү

    Ишенимдүү жана бышык, коргошунсуз жана жашыл түзмөктөр бар

    Тиркемелер

    Компьютерде же DC/DC конвертерлеринде электр энергиясын башкаруу, Электрондук тамекилер, зымсыз кубаттоо, моторлор, дрондор, медициналык, унааларды заряддоо, контроллерлор, санариптик буюмдар, чакан тиричилик техникасы, керектөөчү электроника ж.

    тиешелүү материал номери

    AO AO4884 AO4882, ON FDS4672A, PANJIT PJL9424, DINTEK DTM4916 ж.б.

    Маанилүү параметрлер

    Абсолюттук максималдуу рейтингдер (башкача белгиленбесе, TA = 25 C)

    Символ Параметр   Рейтинг бирдиги
    Жалпы рейтингдер    
    VDSS Дренаждын булагы Voltage   40 V
    VGSS Gate-Source Voltage   ±20
    TJ Максималдуу кошулуу температурасы   150 °C
    TSTG Сактоо Температура диапазону   -55тен 150гө чейин
    IS Диод үзгүлтүксүз алдыга ток TA=25°C 2 A
    ID Үзгүлтүксүз дренаждык агым TA=25°C 11 A
    TA=70°C 8.4
    IDM а Импульстук дренаждык ток TA=25°C 30
    PD Максималдуу кубаттуулукту диссипациялоо TA=25°C 2.08 W
    TA=70°C 1.3
    RqJA Жылуулук каршылык - айлана-чөйрөгө кошулуу t £ 10s 30 °C/W
    Туруктуу абал 60
    RqJL Жылуулук каршылык - коргошун менен байланыш Туруктуу абал 20
    IAS б Көчкү агымы, Жалгыз импульс L=0,1mH 23 A
    EAS б Avalanche Energy, Жалгыз импульс L=0,1mH 26 mJ

    Эскертүү а:Макс. ток бириктирүүчү зым менен чектелген.
    Эскертүү б:UIS сыналган жана импульстун туурасы максималдуу кошулуу температурасы 150oC (баштапкы температура Tj=25oC) менен чектелген.

    Электрдик мүнөздөмөлөрү (башкача белгиленбесе, TA = 25 C)

    Символ Параметр Сыноо шарттары Мин. Typ. Макс. бирдиги
    Статикалык мүнөздөмөлөр
    BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V, IDS=250mA 40 - - V
    IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS=32V, VGS=0V - - 1 mA
    TJ=85°C - - 30
    VGS(th) Дарбаза босогосу VDS=VGS, IDS=250mA 1.5 1.8 2.5 V
    IGSS Gate Leakage Current VGS=±20V, VDS=0V - - ±100 nA
    RDS(ON) c Drain-Source On-State Resistance VGS=10V, IDS=7A - 10.5 13 mW
    TJ=125°C - 15.75 -
    VGS=4,5V, IDS=5A - 12 16
    Gfs Forward Transconductance VDS=5V, IDS=15A - 31 - S
    Диоддун мүнөздөмөлөрү
    VSD c Diode Forward Voltage ISD=10A, VGS=0V - 0.9 1.1 V
    trr Кайра калыбына келтирүү убактысы VDD=20V,ISD=10A, dlSD/dt=100A/ms - 15.2 - ns
    ta Заряддоо убактысы - 9.4 -
    tb Чыгаруу убактысы - 5.8 -
    Qrr Кайра калыбына келтирүү заряды - 9.5 - nC
    Динамикалык мүнөздөмөлөр d
    RG Gate Resistance VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz 0.7 1.1 1.8 W
    Ciss Киргизүү сыйымдуулугу VGS=0V,VDS=20V,Жыштык=1,0МГц - 1125 - pF
    Coss Output Capacitance - 132 -
    Crss Reverse Transfer Capacitance - 70 -
    td(ON) Күйгүзүү кечигүү убактысы VDD=20V, RL=20W,IDS=1A, VGEN=10V, RG=1W - 12.6 - ns
    tr Өтүү убактысын күйгүзүү - 10 -
    td(OFF) Өчүрүү кечигүү убактысы - 23.6 -
    tf Күз убактысын өчүрүү - 6 -
    Gate зарядынын мүнөздөмөлөрү d
    Qg Жалпы дарбаза заряды VDS=20V, VGS=4,5V, IDS=7A - 9.4 - nC
    Qg Жалпы дарбаза заряды VDS=20V, VGS=10V, IDS=7A - 20 28
    Qgth Босого дарбаза заряды - 2 -
    Qgs Gate-Source Charge - 3.9 -
    Qgd Gate-Dren Charge - 3 -

    Эскертүү c:
    Импульс тести; импульстун туурасы £300ms, милдет цикли£2%.


  • Мурунку:
  • Кийинки:

  • Бул жерге билдирүүңүздү жазып, бизге жөнөтүңүз