WSD2090DN56 N-канал 20V 80A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

буюмдар

WSD2090DN56 N-канал 20V 80A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

кыскача сүрөттөмө:


  • Модель номери:WSD2090DN56
  • BVDSS:20V
  • RDSON:2,8мΩ
  • ID:80A
  • Канал:N-канал
  • Пакет:DFN5*6-8
  • Продукт жайкы:WSD2090DN56 MOSFET чыңалуусу 20V, ток 80A, каршылыгы 2.8mΩ, канал N-канал жана пакет DFN5 * 6-8.
  • Тиркемелер:Электрондук тамекилер, дрондор, электр шаймандары, фассия мылтыктары, PD, чакан тиричилик техникалары ж.б.
  • Продукт чоо-жайы

    Колдонмо

    Продукт тегдери

    Жалпы сүрөттөмө

    WSD2090DN56 - бул эң жогорку натыйжалуу N-Ch MOSFET траншеясы, клетка тыгыздыгы өтө жогору, ал синхрондуу бак конвертер колдонмолорунун көбү үчүн мыкты RDSON жана дарбаза зарядын камсыз кылат. WSD2090DN56 RoHS жана Green Product талаптарына жооп берет, 100% EAS кепилдик менен толук функциянын ишенимдүүлүгү бекитилген.

    Өзгөчөлүктөрү

    Өркүндөтүлгөн жогорку клетка тыгыздыгы Тренч технологиясы, Super Low Gate Charge, CdV / dt эффектинин эң жакшы төмөндөшү, 100% EAS кепилдиги, Жашыл түзмөк жеткиликтүү

    Тиркемелер

    Switch, Power System, Load Switch, электрондук тамекилер, дрондор, электр шаймандары, фассия мылтыктары, PD, чакан тиричилик техникасы ж.б.

    тиешелүү материал номери

    AOS AON6572

    Маанилүү параметрлер

    Абсолюттук максималдуу рейтингдер (ТК = 25 ℃, башкача белгиленбесе)

    Символ Параметр Макс. Бирдиктер
    VDSS Дренаждын булагы Voltage 20 V
    VGSS Gate-Source Voltage ±12 V
    ID@TC=25℃ Үзгүлтүксүз агызуучу ток, VGS @ 10V1 80 A
    ID@TC=100℃ Үзгүлтүксүз агызуучу ток, VGS @ 10V1 59 A
    IDM Impulsed Drain Current note1 360 A
    EAS Жалгыз импульстуу көчкү Энергия эскертүүсү2 110 mJ
    PD Power Dissipation 81 W
    RθJA Жылуулук каршылык, корпуска кошулуу 65 ℃/Вт
    RθJC Термикалык каршылыктын түйүнү - 1-кап 4 ℃/Вт
    TJ, TSTG Иштөө жана сактоо Температура диапазону -55тен +175ке чейин

    Электрдик мүнөздөмөлөр (TJ = 25 ℃, башкача белгиленбесе)

    Символ Параметр Шарттар Мин Typ Макс Бирдиктер
    BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V, ID=250μA 20 24 --- V
    △BVDSS/△TJ BVDSS температуралык коэффициенти Шилтеме 25℃ , ID=1mA --- 0.018 --- V/℃
    VGS(th) Дарбаза босогосу VDS = VGS, ID = 250μA 0,50 0,65 1.0 V
    RDS(КҮЙҮК) Static Drain-Source On-Resistance VGS=4,5V, ID=30A --- 2.8 4.0 мΩ
    RDS(КҮЙҮК) Static Drain-Source On-Resistance VGS=2,5V, ID=20A --- 4.0 6.0
    IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS=20V,VGS=0V --- --- 1 мкА
    IGSS Gate-Body Leakage Current VGS=±10V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    Ciss Киргизүү сыйымдуулугу VDS=10V,VGS=0V,f=1MHZ --- 3200 --- pF
    Coss Output Capacitance --- 460 ---
    Crss Reverse Transfer Capacitance --- 446 ---
    Qg Жалпы дарбаза заряды VGS=4.5V,VDS=10V,ID=30A --- 11.05 --- nC
    Qgs Gate-Source Charge --- 1.73 ---
    Qgd Gate-Dren Charge --- 3.1 ---
    tD(күйгүзүлгөн) Күйгүзүү кечигүү убактысы VGS=4.5V, VDS=10V, ID=30ARGEN=1.8Ω --- 9.7 --- ns
    tr Өтүү убактысын күйгүзүү --- 37 ---
    tD(өчүрүү) Өчүрүү кечигүү убактысы --- 63 ---
    tf Күз мезгили --- 52 ---
    VSD Diode Forward Voltage IS=7,6A,VGS=0V --- --- 1.2 V

  • Мурунку:
  • Кийинки:

  • Бул жерге билдирүүңүздү жазып, бизге жөнөтүңүз