WSP4016 N-канал 40V 15.5A SOP-8 WINSOK MOSFET

буюмдар

WSP4016 N-канал 40V 15.5A SOP-8 WINSOK MOSFET

кыскача сүрөттөмө:


  • Модель номери:WSP4016
  • BVDSS:40V
  • RDSON:11,5 мΩ
  • ID:15.5A
  • Канал:N-канал
  • Пакет:СОП-8
  • Продукт Summery:WSP4016 MOSFET чыңалуусу 40V, ток 15,5А, каршылыгы 11,5mΩ, канал N-канал жана пакет SOP-8.
  • Тиркемелер:Унаа электроникасы, LED жарыктары, аудио, санариптик буюмдар, чакан тиричилик техникасы, керектөөчү электроника, коргоо такталары ж.
  • Продукт чоо-жайы

    Колдонмо

    Продукт тегдери

    Жалпы сүрөттөмө

    WSP4016 - бул N-ch MOSFET траншеясы, өтө жогорку клетка тыгыздыгы менен, ал синхрондуу бак конвертер колдонмолорунун көбү үчүн мыкты RDSON жана дарбаза заряддарын камсыз кылат. WSP4016 RoHS жана Green Product талаптарына жооп берет, 100% EAS кепилдик менен толук функциянын ишенимдүүлүгү бекитилген.

    Өзгөчөлүктөрү

    Өркүндөтүлгөн жогорку клетка тыгыздыгы Тренч технологиясы, Super Low Gate заряды, CdV/dt эффектинин эң жакшы төмөндөшү, 100% EAS кепилдиги, Жашыл түзмөк жеткиликтүү.

    Тиркемелер

    Ак LED күчөтүүчү конвертерлер, Автомобилдик системалар, Өнөр жай DC/DC конвертациялоо схемалары, EAutomotive электроникасы, LED жарыктары, аудио, санариптик буюмдар, чакан тиричилик техникасы, керектөөчү электроника, коргоо такталары ж.

    тиешелүү материал номери

    AO AOSP66406, ON FDS8842NZ, VISHAY Si4840BDY, PANJIT PJL9420, Sinopower SM4037NHK, NIKO PV608BA,
    DINTEK DTM5420.

    Маанилүү параметрлер

    Символ Параметр Рейтинг Бирдиктер
    VDS Дренаждын булагы Voltage 40 V
    VGS Gate-Source Voltage ±20 V
    ID@TC=25℃ Үзгүлтүксүз агызуучу ток, VGS @ 10V1 15.5 A
    ID@TC=70℃ Үзгүлтүксүз агызуучу ток, VGS @ 10V1 8.4 A
    IDM Импульстүү дренаждык ток2 30 A
    PD@TA=25℃ Жалпы кубаттуулуктун чыгымы TA=25°C 2.08 W
    PD@TA=70℃ Жалпы кубаттуулуктун чыгымы TA=70°C 1.3 W
    TSTG Сактоо Температура диапазону -55тен 150гө чейин
    TJ Иштөө түйүнүнүн температура диапазону -55тен 150гө чейин

    Электрдик мүнөздөмөлөр (TJ = 25 ℃, башкача белгиленбесе)

    Символ Параметр Шарттар Мин. Typ. Макс. бирдиги
    BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V, ID=250uA 40 --- --- V
    RDS(КҮЙҮК) Static Drain-Source On-Resistance2 VGS=10V , ID=7A --- 8.5 11.5 мΩ
    VGS=4,5V , ID=5A --- 11 14.5
    VGS(th) Дарбаза босогосу VGS=VDS, ID =250uA 1.0 1.8 2.5 V
    IDSS Дренаждык булактан агып кетүү агымы VDS=32V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
    VDS=32V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 25
    IGSS Gate-Source Leakage Current VGS=±20V , VDS=0V --- --- ±100 nA
    gfs Forward Transconductance VDS=5V, ID=15A --- 31 --- S
    Qg Жалпы дарбаза заряды (4,5V) VDS=20V,VGS=10V,ID=7A --- 20 30 nC
    Qgs Gate-Source Charge --- 3.9 ---
    Qgd Gate-Dren Charge --- 3 ---
    Td(күйгүзүлгөн) Күйгүзүүнүн кечигүү убактысы VDD=20V,VGEN=10V,RG=1Ω, ID=1A, RL=20Ω. --- 12.6 --- ns
    Tr Rise Time --- 10 ---
    Td(өчүрүү) Өчүрүү кечигүү убактысы --- 23.6 ---
    Tf Күз мезгили --- 6 ---
    Ciss Киргизүү сыйымдуулугу VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz --- 1125 --- pF
    Coss Output Capacitance --- 132 ---
    Crss Reverse Transfer Capacitance --- 70 ---

    Эскертүү:
    1.Пульстук тест: PW<= 300us милдет цикли<= 2%.
    2.Guaranteed долбоорлоо, өндүрүштүк сыноодон өтүүгө тийиш эмес.


  • Мурунку:
  • Кийинки:

  • Бул жерге билдирүүңүздү жазып, бизге жөнөтүңүз