WSD30140DN56 N-канал 30V 85A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET
Жалпы сүрөттөмө
WSD30140DN56 - бул эң жогорку өндүрүмдүү транш N-канал MOSFET, клетканын тыгыздыгы абдан жогору, RDSON жана синхрондуу бак конвертер тиркемелери үчүн дарбаза зарядын камсыз кылат.WSD30140DN56 RoHS жана жашыл продукт талаптарына жооп берет, 100% EAS кепилдик, толук иш ишенимдүүлүгү бекитилген.
Өзгөчөлүктөрү
Өркүндөтүлгөн жогорку клетка тыгыздыгы Тренч технологиясы, өтө төмөн дарбаза заряды, мыкты CdV/dt эффектин басаңдатуу, 100% EAS кепилдиги, жашыл түзмөктөр жеткиликтүү
Тиркемелер
Жогорку жыштыктагы жүктөө чекитинин синхрондоштуруусу, бак конвертерлери, тармактык DC-DC электр тутумдары, электр шаймандары, электрондук тамекилер, зымсыз кубаттоо, дрондор, медициналык жардам, унааларды кубаттоо, контроллерлор, санариптик буюмдар, чакан приборлор, керектөөчү электроника
тиешелүү материал номери
AO AON6312, AON6358, AON6360, AON6734, AON6792, AONS36314.ON NTMFS4847N.VISHAY SiRA62DP.ST STL86N3LLH6AG.INFINEON BSC050N03MSG.TI CSD17327Q5A, CSD17327Q5A, CSD17307Q5A.NXP PH2520U.TOSHIBA TPH4R803PL TPH3R203NL.ROHM RS1E281BN, RS1E280BN, RS1E280GN, RS1E301GN, RS1E321GN, RS1E350BN, RS1E350GN.PANJIT PJQ5410.AP AP3D5R0MT.NIKO PK610SA, PK510BA.POTENS PDC3803R
Маанилүү параметрлер
| Символ | Параметр | Рейтинг | Бирдиктер |
| VDS | Дренаждын булагы Voltage | 30 | V |
| VGS | Gate-Source Voltage | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Үзгүлтүксүз агызуучу ток, VGS @ 10V1,7 | 85 | A |
| ID@TC=70℃ | Үзгүлтүксүз агызуучу ток, VGS @ 10V1,7 | 65 | A |
| IDM | Импульстүү дренаждык ток2 | 300 | A |
| PD@TC=25℃ | Жалпы кубаттуулукту сарптоо4 | 50 | W |
| TSTG | Сактоо Температура диапазону | -55тен 150гө чейин | ℃ |
| TJ | Иштөө түйүнүнүн температура диапазону | -55тен 150гө чейин | ℃ |
| Символ | Параметр | Шарттар | Мин. | Typ. | Макс. | бирдиги |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, ID=250uA | 30 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS температуралык коэффициенти | 25℃ шилтемеси, ID=1mA | --- | 0,02 | --- | V/℃ |
| RDS(КҮЙҮК) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=10V , ID=20A | --- | 1.7 | 2.4 | мΩ |
| VGS=4,5V , ID=15A | 2.5 | 3.3 | ||||
| VGS(th) | Дарбаза босогосу | VGS=VDS, ID =250uA | 1.2 | 1.7 | 2.5 | V |
| Дренаждык булактан агып кетүү агымы | VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA | |
| IDSS | VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | ||
| IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±20V , VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Forward Transconductance | VDS=5V, ID=20A | --- | 90 | --- | S |
| Qg | Жалпы дарбаза заряды (4,5 В) | VDS=15V, VGS=4,5V, ID=20A | --- | 26 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 9.5 | --- | ||
| Qgd | Gate-Dren Charge | --- | 11.4 | --- | ||
| Td(күйгүзүлгөн) | Күйгүзүүнүн кечигүү убактысы | VDD=15V , VGEN=10V , RG=3Ω, RL=0.75Ω. | --- | 11 | --- | ns |
| Tr | Rise Time | --- | 6 | --- | ||
| Td(өчүрүү) | Өчүрүү кечигүү убактысы | --- | 38.5 | --- | ||
| Tf | Кулоо убагы | --- | 10 | --- | ||
| Ciss | Киргизүү сыйымдуулугу | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 3000 | --- | pF |
| Coss | Output Capacitance | --- | 1280 | --- | ||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | --- | 160 | --- |
