MOSFETтин кандай максаттары бар?

MOSFETsкеңири колдонулат. Азыр кээ бир масштабдуу интегралдык микросхемалар MOSFET колдонулат, негизги милдети жана BJT транзистор, которуштуруу жана күчөтүү болуп саналат. Негизи BJT триоду колдонула турган жерде колдонулушу мүмкүн жана кээ бир жерлерде триодго караганда көрсөткүчтөр жакшыраак.

MOSFETтин күчөтүлүшү

MOSFET жана BJT триоду, экөө тең жарым өткөргүч күчөткүч түзүлүш, бирок триодго караганда көбүрөөк артыкчылыктарга ээ, мисалы, жогорку киргизүү каршылыгы, сигнал булагы дээрлик эч кандай ток, бул киргизүү сигналынын туруктуулугуна өбөлгө түзөт. Бул киргизүү баскычы күчөткүч катары идеалдуу түзүлүш, ошондой эле аз ызы-чуу жана жакшы температуранын туруктуулугунун артыкчылыктарына ээ. Ал көбүнчө аудио күчөтүү схемалары үчүн алдын ала күчөткүч катары колдонулат. Бирок, бул чыңалуу менен башкарылуучу токтун түзүлүшү болгондуктан, дренаждык ток дарбаза булагы ортосундагы чыңалуу менен башкарылат, төмөнкү жыштыктагы өткөргүчтүктү күчөтүү коэффициенти көбүнчө чоң эмес, ошондуктан күчөтүү жөндөмдүүлүгү начар.

MOSFETтин которуу эффектиси

MOSFET электрондук өчүргүч катары колдонулат, полион өткөргүчтүгүнө гана таянгандыктан, базалык токтун жана зарядды сактоо эффектинин аркасында BJT триоду жок, ошондуктан MOSFETтин которуштуруу ылдамдыгы триоддон тезирээк, коммутация түтүгү катары көп учурда жогорку жыштыктагы жогорку ток учурлары үчүн колдонулат, мисалы, MOSFETте колдонулган жогорку жыштыктагы жогорку ток абалындагы электр булактарын алмаштыруу. BJT триодунун өчүргүчтөрү менен салыштырганда, MOSFET өчүргүчтөрү азыраак чыңалууларда жана токтарда иштей алат жана кремний пластинкаларында интеграциялоо оңой, ошондуктан алар ири масштабдуу интегралдык микросхемаларда кеңири колдонулат.

колдонууда кандай сактык чаралары барMOSFETs?

MOSFETтер триоддорго караганда назик жана туура эмес колдонуудан оңой бузулушу мүмкүн, ошондуктан аларды колдонууда өзгөчө кылдаттык керек.

(1) Ар кандай колдонуу учурлары үчүн ылайыктуу MOSFET түрүн тандоо керек.

(2) MOSFETs, өзгөчө изоляцияланган дарбазалуу MOSFETs, жогорку киргизүү импедансына ээ жана дарбазанын индуктивдүү зарядынан улам түтүккө зыян келтирбөө үчүн колдонулбаган учурда ар бир электродго кыска туташтыруу керек.

(3) MOSFET түйүнүнүн дарбаза булагы чыңалуусун артка кайтарууга болбойт, бирок ачык чынжыр абалында сактоого болот.

(4) MOSFETтин жогорку кириш импедансын сактоо үчүн, түтүк нымдуулуктан корголушу жана колдонуу чөйрөсүндө кургак болушу керек.

(5) MOSFET менен байланышта болгон заряддалган объекттерди (мисалы, ширетүүчү темир, сыноочу приборлор ж.б.) түтүккө зыян келтирбөө үчүн жерге туташтыруу керек. Айрыкча MOSFET изоляцияланган дарбазасын ширетүүдө, булак - дарбазаны ширетүүнүн ырааттуу тартибине ылайык, электр энергиясы өчүрүлгөндөн кийин ширетүү жакшы. 15 ~ 30W чейин ширетүүчү темирдин күчү ылайыктуу, ширетүү убактысы 10 секунддан ашпашы керек.

(6) MOSFET изоляцияланган дарбазасын мультиметр менен текшерүүгө болбойт, бир гана сыноочу менен сынаса болот, жана сыноочуга жеткенден кийин гана электроддордун кыска туташуу зымдарын алып салуу керек. Алып салганда, дарбазанын ашып кетишин болтурбоо үчүн алып салуудан мурун электроддорду кыска туташтыруу керек.

(7) колдонуудаMOSFETsсубстрат өткөргүчтөрү менен, субстрат жетелейт туура туташтыруу керек.