MOSFETтин иштөө принциби кандай?

MOSFET (FieldEffect Transistor аббревиатурасы (FET)) аталышыMOSFET. аз сандагы алып жүрүүчүлөр тарабынан жылуулук өткөрүмдүүлүккө катышуу үчүн, ошондой эле көп уюлдуу туташтыргыч транзистор катары белгилүү. Бул чыңалуу менен башкарылуучу жарым өткөргүч түзүлүш катары категорияга кирет. Учурдагы чыгуу каршылыгы жогору (10 ^ 8 ~ 10 ^ 9 Ω), аз ызы-чуу, аз энергия керектөө, статикалык диапазон, интеграциялоо оңой, экинчи бузулуу көрүнүшү жок, кең деңиздин камсыздандыруу милдети жана башка артыкчылыктар, азыр өзгөрдү биполярдык туташтыргыч транзистор жана күчтүү өнөктөштөрдүн электр түйүн транзистору.

MOSFET өзгөчөлүктөрү

Биринчи: MOSFET - бул чыңалууну өздөштүрүү аппараты, ал VGS (дарбаза булагы чыңалуу) аркылуу мастер ID (дренаждык DC);

Экинчи:MOSFETтерчыгуу DC абдан кичинекей, ошондуктан анын чыгуу каршылык абдан чоң.

Үчүн: ал жылуулук өткөрүү үчүн бир нече ташыгычтар колдонулат, ошентип, ал туруктуулук жакшы өлчөмгө ээ;

Төртүнчүсү: ал транзистордун кичине коэффициенттеринин электрдик азайышынын кичирейтилген жолунан турат, кичине коэффициенттердин электрдик төмөндөшүнүн кыскартылган жолунан турат;

Бешинчи: MOSFET нурланууга каршы күчү;

Алты: ызы-чуунун чачыранды бөлүкчөлөрү менен шартталган азчылыктын дисперсиясынын ката активдүүлүгү жок, анткени ызы-чуу аз.

MOSFET тапшырма принциби

MOSFETтапшырма принциби бир сүйлөмдө, башкача айтканда, "дренаж - булак ID ортосундагы канал аркылуу жүрүшөт, электрод менен pn ортосундагы канал ID'ди өздөштүрүү үчүн тескери багыттуу электрод чыңалуусуна курулган". Тагыраак айтканда, схема боюнча ID амплитудасы, башкача айтканда, каналдын кесилишинин аянты, ал pn түйүнүнүн карама-каршы вариациясы менен, түгөнүү катмарынын пайда болушу себепти өздөштүрүүнүн вариациясын кеңейтүү. VGS=0 каныкпаган деңизде көрсөтүлгөн өткөөл катмардын кеңейиши анча чоң эмес, анткени дренаж-булактын ортосунда кошулган VDS магнит талаасына ылайык, булак деңизиндеги кээ бир электрондор дренаж тарабынан тартылат. , башкача айтканда, дренаждан булакка чейин DC ID активдүүлүгү бар. Дарбазадан дренажга чейин кеңейген орточо катмар каналдын бүтүндөй корпусунун бөгөттөө түрүн түзөт, ID толук. Бул үлгүнү чымчып алуу катары караңыз. Бул өткөөл катмар каналдын бүтүндөй бөлүгүн тоскондугун билдирет жана DC үзүлгөн эмес.

Өткөөл катмарда электрондордун жана тешиктердин өз алдынча кыймылы болбогондуктан, реалдуу формада жалпы туруктуу токтун бар экендигинин изоляциялык мүнөздөмөлөрү кыймылга кыйын. Бирок, дренаждын ортосундагы магнит талаасы - булак, иш жүзүндө эки өткөөл катмардын контакт дренажы жана дарбаза уюл ылдыйкы сол, анткени дрейф магнит талаасы өтүү катмары аркылуу жогорку ылдамдыктагы электрондорду тартат. Анткени дрейф магнит талаасынын күчү ID-сценанын толуктугун жөн эле өзгөртпөйт. Экинчиден, VGS терс позицияга өзгөрөт, ошондуктан VGS = VGS (өчүрүү), андан кийин өткөөл катмар деңиздин бүтүндөй каптоо формасын негизинен өзгөртөт. Жана VDS магнит талаасы негизинен өткөөл катмарга кошулат, магнит талаасы электронду дрейф абалына тартат, бул өтө кыска бардык булак уюлуна жакын болсо, бул туруктуу токтун күчү эмес. токтоп калууга жөндөмдүү.