PMOSFET деген эмне, сиз билесизби?

I. Негизги түзүлүшү жана иштөө принциби

1. Негизги түзүлүш

PMOSFETтердин n-типтеги субстраттары жана p-каналдары бар жана алардын түзүлүшү негизинен дарбазадан (G), булактан (S) жана дренаждан (D) турат. n-типтеги кремний субстратында, тиешелүүлүгүнө жараша булак жана дренаж катары кызмат кылган эки P+ аймак бар жана алар бири-бири менен p-канал аркылуу туташтырылган. Дарбаза каналдын үстүндө жайгашкан жана каналдан металл оксидинин изоляциялык катмары менен обочолонгон.

2. Иштөө принциптери

PMOSFETs NMOSFETтерге окшош иштейт, бирок ташыгычтардын карама-каршы түрү менен. PMOSFETте негизги ташыгычтар тешиктер болуп саналат. Дарбазага булакка карата терс чыңалуу берилгенде дарбазанын астындагы n тибиндеги кремнийдин бетинде булак менен дренажды бириктирүүчү траншея катары кызмат кылган p-типтеги тескери катмар пайда болот. Дарбазанын чыңалуусун өзгөртүү каналдагы тешиктердин тыгыздыгын өзгөртөт, ошону менен каналдын өткөрүмдүүлүгүн көзөмөлдөйт. Дарбаза чыңалуусу жетишерлик төмөн болгондо, каналдагы тешиктердин тыгыздыгы булак менен дренаждын ортосунда өткөрүүнү камсыз кылуу үчүн жетишерлик жогорку деңгээлге жетет; тескерисинче, канал үзүлөт.

II. Мүнөздөмөлөрү жана колдонмолору

1. Мүнөздөмөлөр

Төмөн мобилдүүлүк: P-канал MOS транзисторлору салыштырмалуу төмөн тешик мобилдүүлүгүнө ээ, ошондуктан PMOS транзисторлорунун өткөргүчтүгү бирдей геометрия жана иштөө чыңалуудагы NMOS транзисторлоруна караганда кичине.

Төмөн ылдамдыктагы, төмөнкү жыштыктагы колдонмолорго ылайыктуу: Төмөнкү мобилдүүлүктөн улам, PMOS интегралдык микросхемалары төмөнкү ылдамдыктагы, төмөнкү жыштыктагы аймактарда колдонуу үчүн көбүрөөк ылайыктуу.

Өткөрүү шарттары: PMOSFETтердин өткөрүү шарттары NMOSFETтерге карама-каршы, булак чыңалуудан төмөн дарбаза чыңалуусун талап кылат.

 

1. Тиркемелер

Жогорку тарапты которуу: PMOSFETs, адатта, булак оң булак менен туташтырылган жана дренаж жүктүн оң учуна туташтырылган жогорку капталдагы коммутация конфигурацияларында колдонулат. PMOSFET өткөргөндө, ал жүктүн оң жагын оң кубатка туташтырат, бул жүк аркылуу токтун өтүшүнө мүмкүндүк берет. Бул конфигурация энергияны башкаруу жана мотор дисктери сыяктуу тармактарда кеңири таралган.

Тескери коргоо схемалары: PMOSFETтер тескери электр менен камсыздоо же жүк агымынын кайра агымы менен шартталган схеманын бузулушун алдын алуу үчүн тескери коргоо схемаларында да колдонулушу мүмкүн.

III. Дизайн жана ойлор

1. КАТТАЛАРДЫН ВОЛЬТАЦИЯСЫН БАШКАРУУ

PMOSFET схемаларын иштеп чыгууда, туура иштешин камсыз кылуу үчүн дарбазанын чыңалуусун так көзөмөлдөө керек. PMOSFETтердин өткөрүү шарттары NMOSFETтерге карама-каршы болгондуктан, дарбаза чыңалуусунун полярдуулугуна жана чоңдугуна көңүл буруу керек.

2. Байланышты жүктөө

Жүктөмдү туташтырууда PMOSFET аркылуу токтун туура өтүшүн камсыз кылуу үчүн жүктүн полярдуулугуна жана PMOSFETтин иштөөсүнө жүктүн таасирине көңүл буруу керек, мисалы, чыңалуунун төмөндөшү, электр энергиясын керектөө ж.б. , ошондой эле эске алуу керек.

3. Температуранын туруктуулугу

PMOSFETтердин иштешине температура чоң таасир этет, ошондуктан схемаларды долбоорлоодо температуранын PMOSFETтин иштешине тийгизген таасирин эске алуу керек жана схемалардын температуралык туруктуулугун жогорулатуу үчүн тиешелүү чараларды көрүү керек.

4. Коргоо схемалары

Иштөө учурунда PMOSFETтин ашыкча токтун жана ашыкча чыңалуудан бузулушуна жол бербөө үчүн, схемада ашыкча ток коргоо жана ашыкча чыңалуудан коргоо сыяктуу коргоо схемалары орнотулушу керек. Бул коргоо схемалары PMOSFETти эффективдүү коргоп, анын кызмат мөөнөтүн узарта алат.

 

Кыскача айтканда, PMOSFET өзгөчө структурасы жана иштөө принцип менен MOSFET бир түрү болуп саналат. Анын төмөн мобилдүүлүгү жана төмөнкү ылдамдыктагы, төмөнкү жыштыктагы колдонмолорго ылайыктуулугу аны белгилүү бир тармактарда кеңири колдонууга мүмкүндүк берет. PMOSFET схемаларын долбоорлоодо контурдун туура иштешин жана ишенимдүүлүгүн камсыз кылуу үчүн дарбазанын чыңалуусун башкарууга, жүк туташтырууга, температуранын туруктуулугуна жана коргоо схемаларына көңүл буруу керек.