MOSFETsроль ойнойткоммутациялык схемалардачынжырды күйгүзүү жана өчүрүү жана сигналды өзгөртүүнү башкаруу болуп саналат.MOSFETs жалпысынан эки категорияга бөлүүгө болот: N-канал жана P-канал.
N-каналындаMOSFETсхема, БИП төөнөгүч сигналдын жообун иштетүү үчүн бийик, ал эми сигналды өчүрүү үчүн төмөн.P-каналMOSFETGPS модулунун кубаттуулугун күйгүзүү жана өчүрүү үчүн, күйгүзүлгөндө GPS_PWR пин аз, GPS модулу кадимки электр менен камсыз кылуу, жана GPS модулун өчүрүү үчүн бийик.
P-каналыMOSFETP + аймагындагы N-типтеги кремний субстратында эки бар: дренаж жана булак. Бул эки уюл бири-бири менен өткөргүч эмес, жерге туташтырылганда булакка жетиштүү оң чыңалуу кошулганда, дарбазанын астындагы N-типтүү кремний бети P-типтеги тескери катмар болуп, дренаж менен булакты бириктирген каналга чыгат. . Дарбазадагы чыңалууну өзгөртүү каналдагы тешиктердин тыгыздыгын өзгөртөт, ошентип каналдын каршылыгын өзгөртөт. Бул P-каналды жакшыртуу талаа эффектиси транзистору деп аталат.
NMOS мүнөздөмөлөрү, Vgs белгилүү бир мааниден чоңураак болсо, линиядагы дарбаза чыңалуусу 4V же 10V болгон шартта, булак жерге туташтырылган төмөнкү диск корпусуна тиешелүү болот.
PMOSтун мүнөздөмөлөрү, NMOSга карама-каршы, Vgs белгилүү бир мааниден азыраак болсо, күйөт жана булак VCCге туташтырылганда, жогорку дискте колдонууга ылайыктуу. Бирок, алмаштыруу түрлөрүнүн аздыгынан, жогорку каршылыкка жана жогорку баага байланыштуу, бирок PMOS жогорку деңгээлдеги дискте абдан ыңгайлуу колдонулушу мүмкүн, андыктан жогорку класстагы дискте жалпысынан дагы эле NMOS колдонулат.
Жалпысынан,MOSFETsжогорку киргизүү импедансына ээ, схемаларда түз туташтырууну жеңилдетет жана чоң масштабдуу интегралдык микросхемаларда жасоого салыштырмалуу оңой.
Посттун убактысы: 20-июль-2024
