Дене диоду (ал көбүнчө кадимки диод деп аталат, термин катары"дене диоду”адаттагыдай контексттерде колдонулбайт жана диоддун өзүнүн мүнөздөмөсүнө же түзүлүшүнө кайрылышы мүмкүн; бирок, бул максатта, биз ал стандарттык диодго тиешелүү деп ойлойбуз) жана MOSFET (металл оксиди жарым өткөргүч талаа эффектиси транзистору) бир нече аспектилери боюнча олуттуу айырмаланат. Төмөндө алардын айырмачылыктары деталдуу талдоо болуп саналат:
1. Негизги аныктамалар жана структуралар
- Диод: А диод эки электроддор менен жарым өткөргүч түзүлүш болуп саналат, P-тиби жана N-тип жарым өткөргүчтөрдөн турган, PN түйүнүн түзөт. Ал агымдын оң тараптан терс тарапка өтүшүнө гана мүмкүндүк берет (алдыга ык), тескери агымды бөгөттөйт (кайтарым).
- MOSFET: MOSFET токту башкаруу үчүн электр талаасынын эффектин колдонгон үч терминалдуу жарым өткөргүчтүү түзүлүш. Ал дарбазадан (G), булактан (S) жана дренаждан (D) турат. Булак менен дренаждын ортосундагы ток дарбазанын чыңалуусу менен башкарылат.
2. Иштөө принциби
- Диод: Диоддун иштөө принциби PN түйүнүнүн бир багыттуу өткөрүмдүүлүгүнө негизделген. Алдыга ыктоо астында алып жүрүүчүлөр (тешиктер жана электрондор) токту пайда кылуу үчүн PN түйүнү боюнча тарашат; тескери кыйшаюу астында, потенциалдуу тосмо түзүлүп, токтун агымына тоскоол болот.
- MOSFET: MOSFETтин иштөө принциби электр талаасынын эффектине негизделген. Дарбазанын чыңалуусу өзгөргөндө, дарбазанын астындагы жарым өткөргүчтүн бетинде булак менен дренаждын ортосундагы токту башкарган өткөргүч каналды (N-канал же Р-канал) түзөт. MOSFETs - чыңалуу менен башкарылуучу түзүлүштөр, кириш чыңалууга жараша чыгуу тогу бар.
3. Иштин мүнөздөмөлөрү
- Диод:
- Жогорку жыштыктагы жана аз кубаттуулуктагы колдонмолорго ылайыктуу.
- бир багыттуу өткөргүчтүгү бар, бул аны ректификация, аныктоо жана чыңалууну жөнгө салуу схемаларынын негизги компоненти кылат.
- Тескери бузулуу чыңалуусу чечүүчү параметр болуп саналат жана тескери бузулуу маселелерин болтурбоо үчүн долбоордо эске алынышы керек.
- MOSFET:
- жогорку киргизүү импедансы, аз ызы-чуу, аз энергия керектөө, жана жакшы жылуулук туруктуулугу бар.
- Ири масштабдуу интегралдык микросхемалар жана электр энергиясы үчүн ылайыктуу.
- MOSFETs N-канал жана P-канал түрлөрүнө бөлүнөт, алардын ар бири күчөтүү режиминде жана түгөнүү режиминде болот.
- Токтун каныккан аймагында дээрлик туруктуу бойдон калуу менен, жакшы туруктуу токтун мүнөздөмөлөрүн көрсөтөт.
4. Колдонмо талаалары
- Диод: электроника, байланыш жана электр менен камсыздоо тармактарында кеңири колдонулат, мисалы, ректификация схемаларында, чыңалууларды жөнгө салуу схемаларында жана аныктоо схемаларында.
- MOSFET: Интегралдык микросхемаларда, электр электроникасында, компьютерлерде жана коммуникацияда чечүүчү ролду ойнойт, коммутация элементтери, күчөтүү элементтери жана кыймылдаткыч элементтер катары колдонулат.
5. Корутунду
Диоддор жана MOSFETтер негизги аныктамалары, структуралары, иштөө принциптери, иштөө мүнөздөмөлөрү жана колдонуу талаалары боюнча айырмаланат. Диоддор бир багыттуу өткөргүчтүгүнөн улам ректификацияда жана чыңалууну жөнгө салууда негизги ролду ойнойт, ал эми MOSFETтер интегралдык микросхемаларда жана электрдик электроникада кирүү импедансы жогорку, ызы-чуу жана аз энергия керектөөсүнөн улам кеңири колдонулат. Эки компонент тең заманбап электрондук технология үчүн негизги болуп саналат, алардын ар бири өзүнүн артыкчылыктарын сунуш кылат.
Посттун убактысы: 2024-жылдын 18-сентябрына чейин
