MOSFETs интегралдык микросхемалардагы MOSFETтерди изоляциялоодо.MOSFETs эң негизги түзүлүштөрдүн бири катарыжарым өткөргүч талаа, такта деңгээлиндеги схемаларда, ошондой эле IC дизайнында кеңири колдонулат. Дренаж жана булагыMOSFETs алмаштырылышы мүмкүн, жана N-тип аймагы менен P-тибиндеги арткы эшикте түзүлөт. Жалпысынан алганда, эки булак бири-бирин алмаштырып, экөө тең N-тип аймагын түзөтP-түрү арткы дарбаза. Жалпысынан алганда, бул эки зоналар бирдей жана бул эки бөлүм которулса да, аппараттын иштешине эч кандай таасир тийгизбейт. Ошондуктан, аппарат симметриялуу деп эсептелет.
Принцип:
MOSFET дренаждык токту башкаруу үчүн бул "индукцияланган заряддар" тарабынан түзүлгөн өткөргүч каналдын абалын өзгөртүү үчүн "индукцияланган заряддын" көлөмүн көзөмөлдөө үчүн VGS колдонот. MOSFETтер өндүрүлгөндө, атайын процесстер аркылуу изоляциялык катмарда көп сандагы оң иондор пайда болот, андыктан интерфейстин башка тарабында көбүрөөк терс заряддар сезилиши мүмкүн, ал эми жогорку өткөрүмдүүлүктөгү аралашмалардын N-аймактары бул терс заряддар жана өткөргүч канал түзүлөт жана VGS 0 болсо дагы салыштырмалуу чоң дренаждык ток, ID түзүлөт. Дарбаза чыңалуусу өзгөртүлсө, каналдагы индукцияланган заряддын көлөмү да өзгөрөт, ал эми туурасы өткөргүч канал бирдей өлчөмдө өзгөрөт. Дарбазанын чыңалуусу өзгөрсө, каналдагы индукцияланган заряддын көлөмү да өзгөрөт жана өткөрүүчү каналдагы туурасы да өзгөрөт, ошондуктан дренаждык токтун идентификатору дарбазанын чыңалуусу менен бирге өзгөрөт.
Рол:
1. Аны күчөткүч схемага колдонсо болот. MOSFET күчөткүчүнүн кириш импедансы жогору болгондуктан, муфтанын сыйымдуулугу кичирээк болушу мүмкүн жана электролиттик конденсаторлорду колдонууга болбойт.
Жогорку киргизүү импеданс импеданс өзгөртүү үчүн ылайыктуу болуп саналат. Көбүнчө көп баскычтуу күчөткүчтөрдүн кириш стадиясында импедансты өзгөртүү үчүн колдонулат.
3, Бул өзгөрүлмө каршылык катары колдонсо болот.
4, электрондук өчүргүч катары колдонсо болот.
MOSFETтер азыр приложениялардын кеңири спектринде колдонулат, анын ичинде телевизорлордогу жогорку жыштыктагы баштар жана коммутациялык энергия булактары. Азыркы учурда, биполярдык кадимки транзисторлор жана MOS биригип, IGBT (изоляцияланган биполярдык транзистор) түзүлөт, ал жогорку кубаттуулуктагы аймактарда кеңири колдонулат, ал эми MOS интегралдык микросхемалары аз энергия керектөө мүнөзүнө ээ, азыр CPUлар кеңири колдонулууда. MOS схемалары.
Посттун убактысы: 19-июль-2024
