R1-R6 резисторлорун, C1-C3 электролиттик конденсаторлорун, C4 конденсаторлорун, PNP триоду VD1 диоддорун, D1-D2 диоддорун, K1 аралык релесин, чыңалуу компараторун, кош убакыт базасы интегралдык чип NE556 жана MOSFET Q1 камтыган MOSFET кармагыч схемасы, NE556 кош убакыт базасынын интегралдык чипинин №6 пинси сигнал киргизүү катары кызмат кылат жана R1 резисторунун бир учу ошол эле учурда эки убакыттык базанын интегралдык чипинин NE556 пинине туташтырылган, сигнал кириши катары колдонулат, R1 резисторунун бир учу NE556 кош убакыт базасынын интегралдык чипинин 14 пинине, R2 резисторунун бир учу, R4 резисторунун бир учу, PNP транзисторунун VD1 эмитенти, MOSFET Q1 дренажы жана DC электр энергиясы менен камсыздоо, ал эми R1 резисторунун экинчи учу кош убакыт базасы NE556 интегралдык чипинин 1 пинине, NE556 кош убакыт базасынын интегралдык чипинин 2 пинине, C1 конденсаторунун оң электролиттик сыйымдуулугуна жана аралык релеге туташты. К1 кадимки жабык контакт К1-1, К1 аралык релесинин экинчи учу К1-1 кадимки жабык контакты, С1 электролиттик конденсаторунун терс уюлу жана С3 конденсаторунун бир учу кубат берүүчү жерге, С3 конденсаторунун экинчи учу туташтырылган. NE556 кош убакыт базасынын интегралдык чипинин 3 пинине туташтырылган, NE556 кош убакыт базасынын интегралдык чипинин 4 пинси C2 электролиттик конденсаторунун оң уюлуна жана R2 резисторунун экинчи учуна бир эле учурда туташтырылган жана электролиттик конденсатор C2 терс уюл электр менен жабдуу жерге туташтырылган, ал эми электролиттик конденсатор C2 терс уюл электр менен жабдуу жерге туташтырылган. C2 терс уюл электр менен жабдуу жерге туташтырылган, кош убакыт базасы интегралдык чиптин 5 пин NE556 резистор R3 бир учуна туташкан, R3 резистордун экинчи учу чыңалуу компараторунун оң фаза киришине туташкан. , чыңалуу компараторунун терс фазалык кириши D1 диодунун оң уюлуна жана R4 резисторунун экинчи учуна бир эле учурда, D1 диодунун терс уюлу электр менен жабдуунун жерге туташтырылат жана чыңалуу компаратору R5 резисторунун учуна, R5 резисторунун экинчи учу PNP триплексине туташтырылган. Чыңалуу компараторунун чыгышы R5 резисторунун бир учуна, R5 резисторунун экинчи учу PNP транзисторунун VD1 базасына, PNP транзисторунун VD1 коллектору диоддун оң уюлуна туташтырылган. D2, D2 диодунун терс уюлу R6 резисторунун учуна, C4 конденсаторунун учуна жана ошол эле учурда MOSFET дарбазасына, R6 резисторунун экинчи учу, экинчи учу конденсатор C4, жана аралык реле K1 башка учу баары электр менен камсыз кылуу жерге туташтырылган жана орто аралык реле K1 экинчи учу булактын булагына туташтырылган.MOSFET.
MOSFET кармап туруу схемасы, A аз триггер сигналын бергенде, бул учурда кош убакыт базасы интегралдык чип NE556 топтому, кош убакыт базасы интегралдык чип NE556 пин 5 чыгышы жогорку деңгээл, чыңалуу компараторунун оң фазалык киришине жогорку деңгээл, терс R4 резистору жана D1 диоду тарабынан чыңалуу компараторунун фазалык кириши эталондук чыңалууну камсыз кылуу үчүн, бул учурда чыңалуу компараторунун чыгышы жогорку деңгээлде, Triode VD1 өткөрөт кылуу үчүн жогорку деңгээлде, VD1 триодунун коллекторунан агып жаткан ток D2 диоду аркылуу C4 конденсаторун заряддайт жана ошол эле учурда MOSFET Q1 өткөрөт, бул учурда К1 аралык релесинин катушкасы сиңет, ал эми К1 аралык релеси адатта жабык К 1-1 контакты ажыратылат, ал эми аралыктан кийин К1 релесинин кадимки жабык контакты K 1-1 ажыратылган, NE556 кош убакыт базасынын интегралдык чипинин 1 жана 2 футтарына туруктуу электр энергиясы менен камсыздоо чыңалуусу кош пин 1 жана 2 пиндеги чыңалууга чейин сакталат. убакыт базасы интегралдык чип NE556 менен камсыз кылуу чыңалуунун 2/3 чейин заряддалат, кош убакыт базасы интегралдык чип NE556 автоматтык түрдө баштапкы абалга келтирилет жана кош убакыт базасы интегралдык чиптин 5 пин NE556 автоматтык түрдө төмөнкү деңгээлге калыбына келтирилет, жана кийинки схемалар иштебейт, ал эми бул учурда, конденсатор C4 MOSFET Q1 өткөргүчтүгүн C4 сыйымдуулугунун разрядынын аягына чейин кармап туруу үчүн разряддалат жана аралык реле K1 катушкасы бошотот, аралык реле K1 адатта жабык контакт K 11 жабык, мында жабык аралык релелик K1 аркылуу убакыт адатта жабык контакт K 1-1 кош убакыт базасы интегралдык чип NE556 1 бут жана 2 фут чыңалуу өчүрүү болот, кийинки жолу кош убакыт базасына интегралдык чип NE556 пин 6 төмөн камсыз кылуу үчүн. кош убакыт базасы интегралдык чип NE556 даярдоо үчүн коюлган триггер сигнал.
Бул тиркеменин схемасынын түзүлүшү жөнөкөй жана жаңы, кош убакыт базасы интегралдык чип NE556 пин 1 жана пин 2 менен камсыздоо чыңалуусунун 2/3 бөлүгүнө чейин кубатталганда, кош убакыт базасы интегралдык чип NE556 автоматтык түрдө баштапкы абалга келтирилиши мүмкүн, кош убакыт базасы интегралдык чип NE556 pin 5 автоматтык түрдө төмөнкү деңгээлге кайтып келет, андыктан кийинки схемалар иштебей калат, ошондуктан C4 конденсаторунун заряддоосун автоматтык түрдө токтотот жана MOSFET Q1 өткөргүчү тарабынан сакталган C4 конденсаторунун кубатталышын токтоткондон кийин, бул колдонмо тынымсыз сактай алатMOSFETQ1 өткөргүч 3 секунд.
Ага R1-R6 резисторлору, C1-C3 электролиттик конденсаторлору, C4 конденсаторлору, PNP транзисторлору VD1, диоддор D1-D2, аралык реле K1, чыңалуу компаратору, кош убакыт базасы интегралдык чип NE556 жана MOSFET Q1, кош убакыт базасынын 6-пини кирет. NE556 чип сигнал киргизүү катары колдонулат жана R1 резисторунун бир учу NE556 кош убакыт базасынын интегралдык чипинин 14 пинине, R2 резисторунун, кош убакыт базасынын NE556 интегралдык чипинин 14 жана кош убакыттын 14 пинине туташтырылган базалык интегралдык чип NE556, жана резистор R2 кош убакыт базасы интегралдык чип NE556 пин 14 менен туташтырылган. кош убакыт базасы интегралдык чиптин 14 пин NE556, резистор R2 бир учу, резистор R4 бир учу, PNP транзистор
Кандай иш принциби?
A аз триггер сигналын бергенде, анда эки убакыт базасы интегралдык чип NE556 топтому, кош убакыт базасы интегралдык чип NE556 pin 5 чыгышы жогорку деңгээлде, чыңалуу компараторунун оң фазалык киришине жогорку деңгээл, терс фазалык киргизүү резистор R4 жана диод D1 тарабынан чыңалуунун салыштыргычы эталондук чыңалууну камсыз кылуу үчүн, бул жолу чыңалуу компараторунун чыгышы жогорку деңгээлде, транзистор VD1 өткөргүчүнүн жогорку деңгээли, ток VD1 транзисторунун коллекторунан D2 диоду аркылуу агып чыгат. конденсатор C4 заряддоо, бул учурда, аралык реле K1 катушка соргуч, аралык реле K1 катушка соргуч. VD1 транзисторунун коллекторунан агып жаткан ток D2 диоду аркылуу С4 конденсаторуна заряддалат жана ошол эле учурда,MOSFETQ1 өткөрөт, бул учурда К1 аралык релесинин катушкасы сорулат, ал эми аралык реле К1 нормалдуу жабык контакт К 1-1 ажыратылат, ал эми К1 аралык реледен кийин кадимки жабык К 1-1 байланыш үзүлөт. NE556 кош убакыт базасы интегралдык чипинин 1 жана 2 футуна DC кубат булагы тарабынан берилген чыңалуу NE556 кош убакыт базасынын интегралдык чипинин 1 жана 2 пиндериндеги чыңалуу 2/3 чейин заряддалганга чейин сакталат. берүү чыңалуусу, кош убакыт базасы интегралдык чип NE556 автоматтык түрдө баштапкы абалга келтирилет жана кош убакыт базасы интегралдык чиптин 5 пин NE556 автоматтык түрдө төмөнкү деңгээлге калыбына келтирилет, жана кийинки схемалар иштебейт, жана бул учурда, C4 конденсатору C4 конденсаторунун разряды аяктаганга чейин MOSFET Q1 өткөргүчтөрүн кармап туруу үчүн разряддалат, ал эми К1 аралык релесинин катушкасы бошотулат, ал эми К1 аралык релеси адатта жабык К 1-1 байланышы ажыратылат. Реле K1 адатта жабык контакт K 1-1 жабык, бул жолу жабык аралык реле аркылуу K1 демейде жабык контакт K 1-1 кош убакыт базасы интегралдык чип NE556 1 фут жана чыңалуу чыгаруу боюнча 2 фут болот, кийинки жолу кош убакыт базасы интегралдык чип NE556 пин 6 кош убакыт базасы интегралдык чип NE556 топтомуна даярдык көрүү үчүн, төмөн коюу үчүн триггер сигналын камсыз кылуу үчүн.
Посттун убактысы: 19-апрель-2024
