Жарым өткөргүч тармагындагы эң негизги түзүлүштөрдүн бири катары MOSFETтер IC дизайнында да, такта деңгээлиндеги схемаларда да кеңири колдонулат. Азыркы учурда, айрыкча, жогорку кубаттуулуктагы жарым өткөргүчтөр тармагында, MOSFETs ар түрдүү структуралар да алмаштырылгыс ролду ойнойт. үчүнMOSFETs, түзүлүшү боюнча жөнөкөй жана татаал жыйындысы деп айтууга болот, жөнөкөй түзүлүшү боюнча жөнөкөй, татаал аны терең карап колдонууга негизделген. Күндөн күнгө,MOSFET жылуулук да абдан таралган жагдай болуп эсептелет, негизги биз кайдан себептерин билүү керек, жана кандай ыкмаларды чечсе болот? Келгиле, түшүнүү үчүн биригели.
I. СебептериMOSFET жылытуу
1, схемаларды долбоорлоо маселеси. Бул MOSFET которуштуруу абалында эмес, онлайн режиминде иштөөсүнө уруксат берүү. Бул MOSFET ысып кетишинин себептеринин бири. Эгерде N-MOS которуштурууну аткарса, G-деңгээлиндеги чыңалуу толук күйгүзүү үчүн кубат булагынан бир нече V жогору болушу керек, ал эми P-MOS үчүн тескерисинче болот. Толук ачык эмес жана чыңалуунун төмөндөшү өтө чоң, натыйжада электр энергиясын керектөө, эквиваленттүү DC импеданс салыштырмалуу чоң, чыңалуу төмөндөйт, ошондуктан U * I да көбөйөт, жоготуу жылуулукту билдирет.
2, жыштыгы өтө жогору. Негизинен кээде көлөм үчүн өтө көп, натыйжада жыштыктын өсүшү, MOSFET жоготууларынын көбөйүшүнө алып келет, бул да MOSFET жылытууга алып келет.
3, ток өтө жогору. ID максималдуу ток азыраак болгондо, ал ошондой эле MOSFETдин ысып кетишине алып келет.
4, MOSFET моделин тандоо туура эмес. MOSFETтин ички каршылыгы толук каралбайт, натыйжада которуштуруу импедансы жогорулайт.二、
MOSFETтин катуу жылуулукту чыгаруу үчүн чечим
1, MOSFETтин жылуулук раковинасынын дизайнын жакшы аткарыңыз.
2, жетиштүү көмөкчү жылыткычтарды кошуу.
3, Жылуулук салгычтын клейсин чаптаңыз.
Посттун убактысы: 19-май-2024
