Биринчиден, MOSFET түрү жана түзүмү, MOSFET бул FET (башка JFET), өркүндөтүлгөн же түгөнүүчү түргө, P-каналына же N-каналына жалпысынан төрт түргө даярдалышы мүмкүн, бирок жакшыртылган N гана иш жүзүндө колдонулушу. -канал MOSFETs жана өркүндөтүлгөн P-канал MOSFETs, ошондуктан, адатта, NMOSFET деп аталат, же PMOSFET, адатта, айтылган NMOSFETти билдирет, же PMOSFET бул эки түргө тиешелүү. Жакшыртылган MOSFETтердин ушул эки түрү үчүн NMOSFETтер аз каршылык көрсөтүүгө жана өндүрүштүн жеңилдигине байланыштуу көбүнчө колдонулат. Ошондуктан, NMOSFETs көбүнчө электр менен жабдууну жана кыймылдаткычты башкаруу колдонмолорун алмаштырууда колдонулат жана кийинки киришүүдө NMOSFETтерге да басым жасалат. паразиттик сыйымдуулук үч төөнөгүчтүн ортосунда барMOSFET, бул керек эмес, тескерисинче, өндүрүш процессинин чектөөлөрүнөн улам. Паразиттик сыйымдуулуктун болушу драйвер схемасын иштеп чыгууну же тандоону бир аз татаалдаштырат. Дренаж менен булактын ортосунда мите диод бар. Бул дене диоду деп аталат жана моторлор сыяктуу индуктивдүү жүктөрдү айдоодо маанилүү. Айтмакчы, дененин диоду жеке MOSFETтерде гана бар жана адатта IC чиптин ичинде жок.
АзырMOSFETтөмөн вольттуу тиркемелерди айдаңыз, 5V электр менен жабдууну колдонгондо, бул жолу транзистордун тотемдик полюсунун салттуу түзүлүшүн колдонсоңуз, транзистордун чыңалуусу 0,7V төмөндөп, натыйжада чыңалуудагы дарбазага иш жүзүндө акыркы кошулат. 4.3 V. Бул учурда, биз белгилүү бир тобокелдиктер бар MOSFET 4.5V номиналдык дарбаза чыңалуу тандап. Ошол эле көйгөй 3V же башка төмөнкү вольттуу электр менен жабдуу учурларында пайда болот. Кош чыңалуу кээ бир башкаруу схемаларында колдонулат, анда логикалык бөлүмдө типтүү 5V же 3.3V санариптик чыңалуу колдонулат, ал эми кубаттуулук бөлүгү 12V же андан да жогорураак. Эки чыңалуу жалпы негиз аркылуу туташтырылган. Бул төмөнкү чыңалуу тарабына MOSFETти жогорку чыңалуу тарабында эффективдүү башкарууга мүмкүндүк берген схеманы колдонуу талабын коёт, ал эми жогорку чыңалуу тараптагы MOSFET 1 жана 2де айтылган көйгөйлөргө туш болот.
Үч учурда тең тотемдик полюстун түзүмү чыгаруу талаптарына жооп бере албайт жана көптөгөн MOSFET драйверинин IC'лери дарбаза чыңалуусун чектөө структурасын камтыбайт окшойт. Киргизүүчү чыңалуу туруктуу маани эмес, ал убакытка же башка факторлорго жараша өзгөрүп турат. Бул вариация PWM схемасы тарабынан MOSFETге берилген диск чыңалуусун туруксуз кылат. MOSFETти жогорку дарбаза чыңалууларынан коопсуз кылуу үчүн, көптөгөн MOSFETтерде дарбаза чыңалуусунун амплитудасын күч менен чектөө үчүн орнотулган чыңалуу жөнгө салгычтары бар. Бул учурда, дисктин чыңалуусу чыңалууну жөнгө салгычтан көбүрөөк камсыздалганда, ал ошол эле учурда чоң статикалык кубаттуулукту керектөөгө алып келет, эгерде сиз жөн гана дарбазанын чыңалуусун азайтуу үчүн резистордук чыңалуу бөлгүч принцибин колдонсоңуз, анда салыштырмалуу жогору болот. кириш чыңалуу,MOSFETжакшы иштейт, ал эми кириш чыңалуу дарбазанын чыңалышы толук эмес өткөргүчтү алып келүү үчүн жетишсиз болгондо төмөндөйт, ошону менен электр энергиясын керектөө көбөйөт.
Бул жерде салыштырмалуу жалпы схема NMOSFET драйверинин схемасы үчүн гана жөнөкөй талдоо жүргүзүү үчүн: Vl жана Vh - төмөнкү жана жогорку чендеги электр булагы, эки чыңалуу бирдей болушу мүмкүн, бирок Vl Vh ашпашы керек. Q1 жана Q2 обочолонууну ишке ашыруу үчүн колдонулган тескери тотемдик мамыларды түзөт жана ошол эле учурда эки айдоочу түтүк Q3 жана Q4 бир эле убакта өткөргүч болбойт. R2 жана R3 PWM чыңалуусун камсыздайт R2 жана R3 PWM чыңалуу шилтемесин камсыздайт, бул маалымдаманы өзгөртүү менен, сиз схеманын PWM сигналынын толкун формасында иштөөсүнө уруксат бере аласыз, салыштырмалуу тик жана түз абалда. Q3 жана Q4 диск токту камсыз кылуу үчүн колдонулат, өз убагында, Vh жана GNDге салыштырмалуу Q3 жана Q4 Vce чыңалуунун төмөндөшүнүн эң азы гана, бул чыңалуунун төмөндөшү адатта болгону 0,3V же андан да төмөн болот. 0,7V Vce R5 жана R6 дарбазасы үчүн колдонулган пикир резисторлору, R5 жана R6 дарбазасынын чыңалуусун үлгү алуу үчүн колдонулат, андан кийин Q1 жана Q2 негиздеринде күчтүү терс пикир жаратуу үчүн Q5 аркылуу өткөрүлөт. дарбаза чыңалуусу чектүү мааниге чейин. Бул маани R5 жана R6 менен жөнгө салынышы мүмкүн. Акырында, R1 базалык токтун Q3 жана Q4 үчүн чектөөсүн камсыз кылат, ал эми R4 Q3Q4 Музунун чектөөсү болгон MOSFETтерге дарбаза токунун чектөөсүн камсыз кылат. Зарыл болсо, тездетүү конденсаторун R4 жогору параллелдүү туташтырууга болот.
Посттун убактысы: 21-апрель-2024
