Бүгүнкү күндө көп колдонулган жогорку кубаттуулугу боюнчаMOSFETанын иштөө принциби менен кыскача тааныштыруу. Ал өз ишин кантип ишке ашырганын караңыз.
Металл-оксид-жарым өткөргүч, башкача айтканда, металл-оксид-жарым өткөргүч, так, бул аталыш интегралдык микросхемадагы MOSFETтин структурасын сүрөттөйт, башкача айтканда: кремний диоксиди жана металл менен кошулган жарым өткөргүч түзүлүштүн белгилүү бир түзүлүшүндө, пайда болуу дарбазанын.
MOSFETтин булагы жана дренажы бири-бирине карама-каршы келет, экөө тең P тибиндеги арткы эшикте түзүлгөн N тибиндеги зоналар. Көпчүлүк учурларда, эки аймак бирдей, тууралоонун эки учу аппараттын иштешине таасир этпейт да, мындай түзүлүш симметриялуу деп эсептелет.
Классификация: канал материал түрүнө жана ар бир N-канал жана P-канал эки изоляцияланган дарбаза түрү боюнча; өткөргүч режими боюнча: MOSFET түгөнүү жана күчөтүү болуп бөлүнөт, ошондуктан MOSFET N-каналдын түгөнүшүнө жана өркүндөтүлүшүнө бөлүнөт; P-каналынын түгөнүшү жана төрт негизги категориянын өркүндөтүлүшү.
MOSFET иштөө принциби - структуралык мүнөздөмөлөрүMOSFETөткөргүчкө тартылган бир гана полярдуулук алып жүрүүчүнү (полисти) өткөрөт, бир полярдуу транзистор болуп саналат. Өткөргүч механизми аз кубаттуу MOSFET менен бирдей, бирок түзүлүшү чоң айырмачылыкка ээ, аз кубаттуу MOSFET горизонталдык өткөргүч түзүлүш, кубаттуу MOSFET тик өткөргүч структурасынын көпчүлүгү, ошондой эле MOSFETти жакшыртат VMOSFET деп аталат. аппараттын чыңалуу жана ток туруштук жөндөмдүүлүгү. Негизги өзгөчөлүгү - металл дарбазасы менен каналдын ортосунда кремний диоксиди изоляциясынын катмары бар, ошондуктан жогорку киргизүү каршылыгына ээ, түтүк n-типтүү өткөргүч каналды түзүү үчүн n диффузиялык зонанын эки жогорку концентрациясында өткөрөт. n-каналды өркүндөтүүчү MOSFETтер дарбазага алдыга багыттоо менен жана дарбаза булагынын чыңалуусу n-канал MOSFET тарабынан түзүлгөн өткөргүч каналдын босого чыңалуусунан жогору болгондо гана колдонулушу керек. n-каналдын түгөнүү тибиндеги MOSFETs - бул n-канал MOSFETs, аларда эч кандай дарбаза чыңалуусу колдонулбаганда өткөрүүчү каналдар түзүлөт (дарбаза булагы нөлгө барабар).
MOSFETтин иштөө принциби VGS аркылуу "индукцияланган заряддын" көлөмүн көзөмөлдөө, "индукцияланган заряд" менен түзүлгөн өткөргүч каналдын абалын өзгөртүү, андан кийин дренаждык токту башкаруу максатына жетүү. Түтүктөрдү өндүрүүдө изоляциялоо процесси аркылуу көп сандагы оң иондор пайда болот, ошондуктан интерфейстин башка тарабында дагы терс заряддар индукцияланышы мүмкүн, бул терс заряддар Н. өткөргүч каналдын пайда болушу менен байланышкан аймак, ал тургай VGS = 0 да чоң агып ток ID бар. дарбаза чыңалуусу өзгөртүлгөндө, каналда индукцияланган заряддын көлөмү да өзгөрөт, каналдын өткөргүч каналынын кеңдиги жана тардыгы өзгөрөт, демек, дарбаза чыңалуусу менен агып кетүү агымынын идентификатору өзгөрөт. учурдагы ID дарбаза чыңалуу менен өзгөрөт.
Азыр колдонмоMOSFETжашоо сапатын жакшыртуу менен бирге адамдардын окуусун, эмгектин натыйжалуулугун бир топ жакшыртты. Биз кээ бир жөнөкөй түшүнүү аркылуу аны көбүрөөк рационалдуу түшүнөбүз. Бул курал катары гана колдонулбастан, анын мүнөздөмөлөрүн, иштөө принцибине көбүрөөк түшүнүү, бул дагы бизге абдан кызыктуу болот.
Посттун убактысы: 18-апрель-2024
