(1) MOSFET чыңалууну башкаруучу элемент, ал эми транзистор токту башкаруучу элемент. Айдоо жөндөмү жок, диск агымы өтө аз, тандалышы керекMOSFET; жана сигналда чыңалуу төмөн жана электр балык уулоочу машинанын диск стадиясынын шарттарынан көбүрөөк ток алууга убада кылган, транзисторду тандоо керек.
(2) MOSFET - бул униполярдуу түзүлүш деп аталган өткөргүчтөрдүн көпчүлүгүн колдонуу, транзистор болсо алып жүрүүчүлөрдүн көпчүлүгүн, бирок ошондой эле өткөргүчтөрдүн аз сандагы өткөргүчтөрүн колдонуу. Ал биполярдык аппарат деп аталат.
(3) Кээ бирMOSFET булак жана дренаж дарбазасынын чыңалуусун колдонуу үчүн алмаштырылышы мүмкүн, оң же терс болушу мүмкүн, транзисторго караганда ийкемдүүлүк жакшы.
(4) MOSFET өтө аз ток жана өтө төмөн чыңалуу шарттарында иштей алат жана анын өндүрүш процесси кремний чипине көптөгөн MOSFETтерди интеграциялоо үчүн абдан ыңгайлуу болушу мүмкүн, ошондуктан чоң масштабдагы интегралдык микросхемалардагы MOSFETтер кеңири колдонулган.
(5) MOSFET жогорку киргизүү импеданс жана аз ызы-чуу артыкчылыктарга ээ, ошондуктан, ошондой эле көп электрондук капкан жабдууларды ар кандай колдонулат. Айрыкча талаа эффектиси түтүгү менен бүтүндөй электрондук жабдууларды киргизүү, чыгаруу баскычы, жалпы транзисторду ала алат, функцияга жетүү кыйын.
(6)MOSFETs эки категорияга бөлүнөт: кызыл туташтыргыч түрү жана изоляцияланган дарбаза түрү, жана алардын манипуляция принциптери бирдей.
Чынында, триод арзаныраак жана колдонууга ыңгайлуу, адатта эски төмөнкү жыштыктагы балыкчыларда, MOSFET жогорку жыштыктагы жогорку ылдамдыктагы схемалар үчүн, жогорку ток учурлары үчүн колдонулат, ошондуктан жаңы типтеги жогорку жыштыктагы ультраүн балыкчылар, маанилүү болуп саналатчоң MOS. Жалпысынан алганда, арзан учурларда, транзисторлорду колдонууну биринчилерден болуп жалпы колдонуу, эгер сиз MOSту эске алгыңыз келсе эмес.
MOSFET бузулуу себептери жана чечимдер төмөнкүдөй
Биринчиден, MOSFET өзү киргизүү каршылыгы абдан жогору, ал эми дарбаза - булак аралык электрод сыйымдуулугу өтө аз, ошондуктан ал тышкы электромагниттик талаа же электростатикалык индуктивдүүлүк жана заряддуу абдан сезгич болуп саналат, жана заряддын бир аз өлчөмдө пайда болушу мүмкүн тиешелүү жогорку чыңалуудагы электроддор аралык сыйымдуулукта (U = Q / C), түтүк бузулат. Электр балык уулоочу машинанын MOS киргизүү антистатикалык тейлөө чараларына ээ болсо да, эң жакшы металл идиштерди же өткөргүч материалдардын таңгагын сактоодо жана жеткирүүдө этияттык менен мамиле кылуу керек, статикалык жогорку чыңалууга оңой кол салбаңыз. химиялык материалдар же химиялык була кездемелери. Монтаждоо, ишке киргизүү, нерселер, сырткы көрүнүшү, жумушчу станциясы, ж.б. көрүнүктүү негизделиши керек. Оператордун электростатикалык кийлигишүүсүн болтурбоо үчүн, мисалы, нейлон, химиялык буладан жасалган кийим, кол же бир нерсе кийбөө керек, интегралдык блокко тийгенге чейин жерге туташтыруу жакшы. Жабдууларды түздөө жана ийүү же кол менен ширетүү үчүн, мыкты жерге туташтыруу үчүн жабдууларды колдонуу керек.
Экинчиден, MOSFET схемасынын киришиндеги тейлөө диоду, анын өз убагындагы ток толеранттуулугу көбүнчө 1мА ашыкча өтмө кириш агымынын мүмкүндүгүндө (10мАдан ашык), кириш тейлөө резисторуна туташтырылышы керек. Ал эми баштапкы дизайндагы 129 # тейлөө резисторуна катышкан эмес, ошондуктан MOSFET бузулушу мүмкүн жана ички тейлөө резисторун алмаштыруу менен MOSFET мындай бузулуунун башталышын болтурбоо керек. Ал эми көз ирмемдик энергияны сиңирип алуу үчүн тейлөө чынжырчасы чектелгендиктен, өтө чоң көз ирмемдик сигнал жана өтө жогору электростатикалык чыңалуу тейлөө чынжырынын таасирин жоготот. Ошентип, ширетүүчү темирди бекем негиздеп, агып кетүүнүн алдын алуу үчүн зарыл болгондо, жабдуулардын киришине, жалпы колдонууга, ширетүүчү темирдин калдыгы жылуулукту колдонгондон кийин өчүрүүгө болот жана алгач анын негиздүү төөнөгүчтөрүн ширетүүгө болот.
Посттун убактысы: 31-июль 2024-ж
