Инкапсуляцияланган MOSFETтердин жардамы менен коммутациялык электр менен жабдууну же мотор жетектөө схемасын долбоорлоодо, көпчүлүк адамдар MOSтун каршылыгын, максималдуу чыңалуусун ж.б., максималдуу токту ж.б. деп эсептешет жана ушул факторлорду гана эске алгандар көп. Мындай схемалар иштеши мүмкүн, бирок алар мыкты эмес жана расмий продукт үлгүлөрү катары уруксат берилбейт.
Төмөндө MOSFET жана негиздеринин бир аз кыскача баяндамасыMOSFETМен бир катар булактарга шилтеме берген драйвер схемалары, баары оригиналдуу эмес. Анын ичинде MOSFETтерди, мүнөздөмөлөрдү, дискти жана колдонуу схемаларын киргизүү. MOSFET түрлөрүн таңгактоо жана MOSFET түйүндөрү FET (башка JFET), өркүндөтүлгөн же түгөнүүчү түргө, P-каналына же N-каналына бардыгы болуп төрт түргө даярдалышы мүмкүн, бирок жакшыртылган N-канал MOSFET жана өркүндөтүлгөн P гана колдонулушу мүмкүн. -канал MOSFET, ошондуктан, адатта, NMOS деп аталат, же PMOS бул эки түргө тиешелүү.
Эмне үчүн түгөнүүчү типтеги MOSFETтерди колдонбосоңуз, анын түбүнө жетүү сунушталбайт. MOSFET өркүндөтүүнүн бул эки түрү үчүн NMOS аз каршылык көрсөтүүгө жана даярдоого оңой болгондуктан көбүнчө колдонулат. Ошентип, электр менен жабдууну жана кыймылдаткычты башкаруу колдонмолорун алмаштыруу, көбүнчө NMOS колдонушат. кийинки киришүү, бирок дагы көпNMOS- негизделген.
MOSFETтердин үч төөнөгүчтүн ортосунда мителик сыйымдуулугу бар, бул кереги жок, бирок өндүрүш процессинин чектөөлөрүнөн улам. Диск чынжырын долбоорлоодо же тандоодо мителик сыйымдуулуктун болушу кандайдыр бир кыйынчылыкка алып келет, бирок болтурбоо үчүн эч кандай жол жок, анан майда-чүйдөсүнө чейин сүрөттөлөт. MOSFET схемасында көрүп тургандай, дренаж менен булактын ортосунда мите диод бар.
Бул дене диоду деп аталат жана моторлор сыяктуу индуктивдүү жүктөрдү айдоодо маанилүү. Айтмакчы, дененин диоду жекече гана барMOSFETsжана адатта интегралдык микросхема микросхемасынын ичинде болбойт.MOSFET ON CharacteristicsOn өчүргүчтүн ролун билдирет, бул которгучтун жабылышына барабар.
NMOS мүнөздөмөлөрү, белгилүү бир мааниден жогору Vgs өткөрөт, булак жерге туташтырылган учурда (төмөнкү диск), дарбаза чыңалуусу 4V же 10V болгондо колдонууга ылайыктуу. PMOS мүнөздөмөлөрү, белгилүү бир мааниден аз Vgs өткөрөт, булак VCCге (жогорку диск) туташтырылган учурда колдонууга ылайыктуу. Бирок, PMOS жонокой жогорку акыркы драйвер катары колдонсо болот, бирок, NMOS, адатта, каршылык чоң, жогорку баа жана бир нече алмаштыруу түрлөрүнөн улам жогорку акыркы драйверлерде колдонулат.
Таңгактоо MOSFET коммутация түтүгүн жоготуу, ал NMOS же PMOS болобу, өткөргөндөн кийин каршылык бар, андыктан ток бул каршылыкта энергияны керектейт, керектелген энергиянын бул бөлүгү өткөргүч жоготуу деп аталат. Кичинекей каршылыгы бар MOSFETти тандоо өткөргүч жоготууларды азайтат. Азыркы учурда, кичинекей кубаттуулуктагы MOSFETтин каршылыгы жалпысынан ондогон миллиомдорду түзөт, ал эми бир нече миллиомдор да бар. MOS өткөргөндө жана өчүргөндө бир заматта бүтпөш керек. MOSтун эки тарабындагы чыңалуу төмөндөө процесси, ал аркылуу агып жаткан токтун көбөйүү процесси бар. Бул убакыттын ичинде MOSFET жоготуу чыңалуу менен токтун продуктусу болуп саналат, ал коммутация жоготуусу деп аталат. Адатта, коммутация жоготуу өткөргүчтүк жоготууга караганда бир топ чоң болот, жана которуу жыштыгы канчалык тез болсо, жоготуу ошончолук чоң болот. Жүргүзүү моментиндеги чыңалуу менен токтун көбөйтүлүшү өтө чоң, натыйжада чоң жоготуулар болот.
Которуу убактысын кыскартуу ар бир өткөргүчтө жоготууларды азайтат; которуштуруу жыштыгын азайтуу убакыт бирдигине өчүргүчтөрдүн санын азайтат. Бул эки ыкма тең коммутация жоготууларын азайтат. Жүргүзүү моментиндеги чыңалуу менен токтун көбөйтүлүшү чоң, натыйжада жоготуу да чоң. Которуу убактысын кыскартуу ар бир өткөргүчтө жоготууларды азайтышы мүмкүн; которуштуруу жыштыгын азайтуу убакыт бирдигине өчүргүчтөрдүн санын азайтышы мүмкүн. Бул эки ыкма тең коммутация жоготууларын азайтат. Айдоо Биполярдык транзисторлорго салыштырмалуу, GS чыңалуусу белгилүү бир мааниден жогору болсо, пакеттелген MOSFETти күйгүзүү үчүн эч кандай ток талап кылынбайт деп эсептелет. Бул оңой, бирок бизге ылдамдык керек. Капсулдалган MOSFETтин түзүмүн GS, GD ортосундагы мителик сыйымдуулуктун катышуусунда көрүүгө болот жана MOSFETтин кыймылдашы, чындыгында, сыйымдуулуктун заряды жана разряды. Конденсаторду заряддоо токту талап кылат, анткени конденсаторду заматта заряддоо кыска туташуу катары каралышы мүмкүн, андыктан көз ирмемдик ток чоңураак болот. MOSFET драйверин тандоодо/конструкциялоодо көңүл бура турган биринчи нерсе - бул берилиши мүмкүн болгон заматта кыска туташуу токунун өлчөмү.
Экинчи белгилей кетүүчү нерсе, көбүнчө жогорку деңгээлдеги NMOS дискинде колдонулган дарбазанын өз убагындагы чыңалышы булактан чоңураак болушу керек. Жогорку класстагы диск MOSFET өткөргүч булагы чыңалуусу жана дренаждык чыңалуу (VCC) бирдей, ошондуктан VCCге караганда дарбаза чыңалуу 4 V же 10 V. Эгерде ошол эле системада болсо, VCCден чоңураак чыңалууну алуу үчүн, биз адистешкенибиз керек. күчөтүү схемалары. Көптөгөн мотор айдоочулары интегралдык заряд насосторуна ээ, MOSFETди башкаруу үчүн жетиштүү кыска туташуу агымын алуу үчүн тиешелүү тышкы сыйымдуулукту тандоо керек экенин белгилей кетүү маанилүү. 4V же 10V көбүнчө MOSFETтин штаттык чыңалуусунда колдонулат, албетте, дизайн белгилүү бир чекке ээ болушу керек. Чыңалуу канчалык жогору болсо, абалдагы ылдамдык ошончолук тезирээк болот жана абалдагы каршылык ошончолук төмөн болот. Азыркы учурда, ар кандай тармактарда колдонулган аз мамлекеттик чыңалуу менен MOSFETs бар, бирок 12V унаа электрондук системалары, жалпысынан 4V боюнча абалы жетиштүү.MOSFET диск чынжыр жана анын жоготуу.
Посттун убактысы: 20-2024-жыл
