MOSFET, металл-оксид-жарым өткөргүч талаа-эффекттүү транзистор катары белгилүү, талаа таасири транзисторунун (FET) бир түрүнө таандык кеңири колдонулган электрондук түзүлүш.бир MOSFETметалл дарбазадан, оксид изоляциялоочу катмардан (көбүнчө кремний диоксиди SiO₂) жана жарым өткөргүч катмардан (көбүнчө кремний Si) турат. Иштөө принциби жарым өткөргүчтүн бетиндеги же ичиндеги электр талаасын өзгөртүү үчүн дарбазанын чыңалуусун көзөмөлдөө, ошентип булак менен дренаждын ортосундагы токту башкаруу.
MOSFETsэки негизги түргө бөлүүгө болот: N-каналMOSFETs(NMOS) жана P-каналыMOSFETs(PMOS). NMOSда дарбаза чыңалуусу булакка карата оң болгондо, жарым өткөргүчтүн бетинде n-типтүү өткөргүч каналдар пайда болуп, электрондордун булактан дренажга агып чыгышына мүмкүндүк берет. PMOSдо, дарбаза чыңалуусу булакка карата терс болгондо, жарым өткөргүчтүн бетинде тешиктердин булактан дренажга агып чыгышына мүмкүндүк берүүчү p-типтеги өткөргүч каналдар пайда болот.
MOSFETsкөп артыкчылыктарга ээ, мисалы, жогорку киргизүү импедансы, аз ызы-чуу, аз энергия керектөө, жана интеграциянын жеңил, ошондуктан алар көп аналогдук схемалар, санариптик схемалар, энергия башкаруу, электр электроника, байланыш системалары, жана башка тармактарда колдонулат. Интегралдык микросхемаларда,MOSFETsCMOS (кошумча металл оксидинин жарым өткөргүч) логикалык схемаларын түзгөн негизги бирдиктер. CMOS схемалары NMOS жана PMOS артыкчылыктарын айкалыштырат жана аз энергия керектөө, жогорку ылдамдык жана жогорку интеграция менен мүнөздөлөт.
Кошумча,MOSFETsөткөрүүчү каналдары алдын ала түзүлүп же түзүлбөгөнүнө жараша күчөтүү тибиндеги жана түгөнүүчү типке бөлүүгө болот. Өркүндөтүү түрүMOSFETдарбазадагы чыңалуу нөлгө барабар болгондо, канал өткөргүч эмес, өткөргүч каналды түзүү үчүн белгилүү бир дарбаза чыңалуусун колдонуу керек; түгөнүү түрүMOSFETдарбазадагы чыңалуу нөлгө барабар болсо, канал өткөргүч болгондо, дарбаза чыңалуусу каналдын өткөргүчтүгүн көзөмөлдөө үчүн колдонулат.
Кыскача айтканда,MOSFETметалл оксидинин жарым өткөргүч структурасына негизделген талаа эффектиси транзистору, бул дарбазанын чыңалуусун башкаруу аркылуу булак менен дренаждын ортосундагы токту жөнгө салат жана колдонуунун кеңири спектрине жана маанилүү техникалык мааниге ээ.
Посттун убактысы: 2024-жылдын 12-сентябрына чейин
