IGBT (изоляцияланган дарбаза биполярдык транзистор) жана MOSFET (металл-оксид-жарым өткөргүч талаа таасири транзистор) электр электроникасында кеңири колдонулган эки жалпы кубаттуу жарым өткөргүч түзүлүштөр. Экөө тең ар кандай колдонмолордо маанилүү компоненттер болсо да, алар бир нече аспектилери боюнча олуттуу айырмаланат. Төмөндө IGBT жана MOSFET ортосундагы негизги айырмачылыктар болуп саналат:
1. Иштөө принциби
- IGBT: IGBT BJT (Биполярдык туташтыргыч транзистор) менен MOSFETтин мүнөздөмөлөрүн бириктирип, аны гибриддик түзүлүшкө айландырат. Ал MOSFETтин дарбаза чыңалуусу аркылуу BJT базасын көзөмөлдөйт, ал өз кезегинде BJT өткөрүүнү жана өчүрүүнү көзөмөлдөйт. IGBT өткөрүү жана кесүү процесстери салыштырмалуу татаал болсо да, ал төмөн өткөргүч чыңалуу жоготууларын жана жогорку чыңалуу толеранттуулукту өзгөчөлүктөрү.
- MOSFET: MOSFET - бул жарым өткөргүчтөгү токту дарбаза чыңалуусу аркылуу башкарган талаа эффективдүү транзистор. Дарбаза чыңалуусу булактын чыңалуусунан ашып кеткенде, токтун өтүшүнө мүмкүндүк берүүчү өткөргүч катмар пайда болот. Тескерисинче, дарбазанын чыңалуусу босогодон төмөн болгондо өткөргүч катмар жоголуп, ток өтө албайт. MOSFETтин иштеши салыштырмалуу жөнөкөй, тез которуу ылдамдыгы менен.
2. Колдонуу аймактары
- IGBT: Жогорку чыңалууга толеранттуулукка, төмөн өткөргүч чыңалууну жоготууга жана тез коммутациялык көрсөткүчтөргө байланыштуу, IGBT өзгөчө инверторлор, мотор айдоочулары, ширетүүчү машиналар жана үзгүлтүксүз энергия булактары (UPS) сыяктуу жогорку кубаттуулуктагы, аз жоготуулар үчүн ылайыктуу. . Бул колдонмолордо IGBT жогорку чыңалуудагы жана жогорку токтогу которуштуруу иштерин эффективдүү башкарат.
- MOSFET: MOSFET тез жооп берүүсү, жогорку киргизүүгө каршылык көрсөтүүсү, туруктуу которуштуруу натыйжалуулугу жана арзан баасы менен коммутатор режиминдеги кубат булактары, жарыктандыруу, аудио күчөткүчтөр жана логикалык схемалар сыяктуу аз кубаттуу, тез которулуучу колдонмолордо кеңири колдонулат. . MOSFET аз кубаттуулукта жана аз вольттуу колдонмолордо өзгөчө жакшы аткарат.
3. Иштин мүнөздөмөлөрү
- IGBT: IGBT жогорку чыңалуудагы, жогорку токтогу тиркемелерде, анын өткөргүчтүк жоготуулары аз болгон олуттуу кубаттуулукту башкаруу жөндөмдүүлүгүнөн артыкчылыкка ээ, бирок MOSFETтерге салыштырмалуу жайыраак которуу ылдамдыгына ээ.
- MOSFET: MOSFET тезирээк которуштуруу ылдамдыгы, төмөнкү вольттогу колдонмолордо эффективдүүлүгү жана жогорку которуштуруу жыштыктарында азыраак энергия жоготуулары менен мүнөздөлөт.
4. Өз ара алмаштыруучулук
IGBT жана MOSFET ар кандай максаттар үчүн иштелип чыккан жана колдонулат жана адаттагыдай эле алмаштырылышы мүмкүн эмес. Кайсы аппаратты колдонууну тандоо конкреттүү колдонууга, аткаруу талаптарына жана чыгымдарга байланыштуу.
Корутунду
IGBT жана MOSFET иштөө принциби, колдонуу чөйрөлөрү жана аткаруу мүнөздөмөлөрү жагынан бир топ айырмаланат. Бул айырмачылыктарды түшүнүү оптималдуу иштешин жана экономикалык натыйжалуулугун камсыз кылуу, электр электроника үлгүлөрү үчүн ылайыктуу аппаратты тандоого жардам берет.
Посттун убактысы: 2024-жылдын 21-сентябрына чейин
