N тибиндеги, P тибиндеги MOSFETтин иш принциби бирдей, MOSFET негизинен дренаждык токтун чыгыш тарабын ийгиликтүү башкаруу үчүн дарбаза чыңалуусунун кириш тарабына кошулат, MOSFET чыңалуу аркылуу башкарылат. Аппараттын мүнөздөмөлөрүн көзөмөлдөө үчүн дарбазага, триоддон айырмаланып, зарядды сактоо эффектиси менен шартталган базалык агымдан улам которуштуруу колдонмолорунда, MOSFETтин коммутация колдонмолорунда,MOSFETтер которуштуруу ылдамдыгы триоддукунан тезирээк.
Коммутациялык электр менен жабдууда, көбүнчө MOSFET ачык дренаждык чынжырда, дренаж жүккө ошол бойдон кошулат, ачык дренаж, ачык дренаж схемасы деп аталат, жүк канчалык жогорку чыңалууга байланыштуу, күйгүзүүгө, өчүрүүгө жөндөмдүү. жүктөө агымы, идеалдуу аналогдук коммутациялык түзүлүш болуп саналат, ал MOSFETтин коммутациялык түзүлүштөрдү жасоо принциби болуп саналат, MOSFET көбүрөөк схемалар түрүндө коммутацияны жасоо.
Электр менен камсыздоо тиркемелерин которуу жагынан, бул колдонмо талап кылат MOSFETs Мезгил-мезгили менен өткөрүү, өчүрүү, мисалы, негизги бак конвертеринде көбүнчө колдонулган DC-DC электр энергиясы коммутация функциясын аткаруу үчүн эки MOSFETге таянат, бул өчүргүчтөр энергияны сактоо үчүн индуктордо кезектешип, энергияны жүккө бошотуп, көбүнчө тандашат Жүздөгөн кГц же ал тургай 1 МГцден жогору, себеби, жыштык канчалык жогору болсо, магниттик компоненттер ошончолук кичине. Кадимки иштөө учурунда, MOSFET өткөргүчкө барабар, мисалы, жогорку кубаттуулуктагы MOSFETs, чакан чыңалуудагы MOSFETs, схемалар, электр менен камсыздоо MOSтун минималдуу өткөргүч жоготуусу.
MOSFET PDF параметрлери, MOSFET өндүрүүчүлөр RDS (ON) параметрин ийгиликтүү кабыл алышты, мамлекеттик импедансты аныктоо үчүн, тиркемелерди которуштуруу үчүн, RDS (ON) түзмөктүн эң маанилүү мүнөздөмөсү болуп саналат; маалымат баракчалары RDS (ON) аныктайт, дарбаза (же диск) чыңалуу VGS жана коммутатор аркылуу агып жаткан ток байланыштуу, адекваттуу дарбаза диски үчүн RDS (ON) салыштырмалуу статикалык параметр; Жүргүзүүдө болгон MOSFETs жылуулук генерациялоого жакын, ал эми акырындык менен кошулуу температурасынын жогорулашы RDS (ON) көбөйүшүнө алып келиши мүмкүн;MOSFET маалымат баракчаларында MOSFET пакетинин жарым өткөргүч кошулмасынын жылуулукту таркатууга жөндөмдүүлүгү катары аныкталган жылуулук импеданс параметри көрсөтүлөт, ал эми RθJC жөн гана туташуудан корпуска жылуулук импеданс катары аныкталат.
1, жыштык өтө жогору, кээде көлөмдү ашыкча кууп, түздөн-түз жогорку жыштыкка алып келет, жоготуу боюнча MOSFET көбөйөт, жылуулук ошончолук көп, адекваттуу жылуулук диссипация дизайнын жакшы аткарбаңыз, жогорку ток, номиналдык MOSFET учурдагы мааниси, жетишүү үчүн жакшы жылуулук таркатылышы керек; ID максималдуу ток азыраак, олуттуу жылуулук болушу мүмкүн, адекваттуу көмөкчү жылыткычтарга муктаждык.
2, MOSFET тандоо каталары жана кубаттуулукка баа берүүдөгү каталар, MOSFET ички каршылыгы толугу менен каралбайт, MOSFET жылытуу көйгөйлөрү менен күрөшүүдө түздөн-түз которуштуруу импедансын жогорулатууга алып келет.
3, микросхемалардын дизайн көйгөйлөрүнө байланыштуу, натыйжада жылуулук, MOSFET которуштуруу абалында эмес, сызыктуу иштөө абалында иштеши үчүн, бул MOSFET жылытылышынын түздөн-түз себеби болуп саналат, мисалы, N-MOS которууну, G- деңгээл чыңалуу бир нече V менен электр менен камсыз кылуу жогору болушу керек, толугу менен өткөрүү мүмкүнчүлүгүнө ээ болуу үчүн, P-MOS ар түрдүү; толук ачык болбосо, чыңалуунун түшүүсү өтө чоң, бул электр энергиясын керектөөгө алып келет, туруктуу токтун эквиваленттүү импедансы чоңураак, чыңалуунун төмөндөшү да жогорулайт, U * I да жогорулайт, жоготуу ысыкка алып келет.
Посттун убактысы: 01-август-2024
