MOSFETs үчүн көбүнчө колдонулган схемалардын көптөгөн вариациялары бар. Эң кеңири таралган долбоор бул каналды чагылдырган түз сызык, булакты жана дренажды билдирген каналга перпендикуляр болгон эки сызык жана дарбазаны билдирген сол жактагы каналга параллелдүү кыскараак сызык. Кээде каналды билдирген түз сызык да өркүндөтүү режимин айырмалоо үчүн сынык сызык менен алмаштырылатmosfet же түгөнүү режими mosfet, ал дагы сүрөттө көрсөтүлгөндөй N-канал MOSFET жана P-канал MOSFET эки түргө бөлүнөт (жебенин багыты башка).
Power MOSFETs эки негизги жол менен иштейт:
(1) D жана Sга оң чыңалуу кошулганда (дренаждын оң, булагы терс) жана UGS=0, P корпусунун аймагындагы жана N дренаждык аймагындагы PN түйүнү тескери багытталат жана D ортосунда ток өтпөйт. жана S. Эгерде G жана S ортосунда оң чыңалуу UGS кошулса, дарбаза изоляциялангандыктан эч кандай дарбаза агымы чыкпайт, бирок дарбазадагы оң чыңалуу тешиктерди астындагы P аймагынан алыстатат жана азчылыкты ташуучу электрондор P аймагынын бетине тартылуу UGS белгилүү бир чыңалуудан UT чоңураак болгондо, дарбазанын астындагы P чөлкөмүнүн бетиндеги электрон концентрациясы тешик концентрациясынан ашып кетет, ошентип, P тибиндеги жарым өткөргүчтүн антипаттерн катмары N тибиндеги жарым өткөргүчкө айланат. ; бул антипаттерн катмары булак менен дренаждын ортосунда N-типтеги каналды түзөт, ошентип PN түйүнү жок болуп, булак менен дренажды өткөргүч жана дренаждык токтун ID дренаж аркылуу агат. UT күйгүзүлгөн чыңалуу же босого чыңалуу деп аталат, жана UGS UTтен канчалык ашса, өткөргүч жөндөмдүүлүк ошончолук көп болот жана ID ошончолук чоң болот. UGS UT ашкан сайын, өткөргүчтүк ошончолук күчтүү, ID ошончолук чоң болот.
(2) D, S плюс терс чыңалуу (оң булак, дренаж терс) болгондо, PN түйүнү ички тескери диодго барабар (тез жооп берүү өзгөчөлүктөрүнө ээ эмес), б.а.MOSFET тескери бөгөттөө жөндөмүнө ээ эмес, тескери өткөрүүчү компоненттер катары каралышы мүмкүн.
тарабынанMOSFET иштөө принциби көрүүгө болот, анын өткөргүчтөргө тартылган бир гана полярдуулук ташыгычтары, ошондуктан, ошондой эле бир полярдык транзистор деп аталат.MOSFET диск көп учурда электр менен жабдуунун IC жана MOSFET параметрлерине негизделген ылайыктуу схеманы тандоо үчүн, MOSFET көбүнчө которуштуруу үчүн колдонулат. электр энергиясы менен камсыздоочу кыймылдаткыч схемасы. MOSFET аркылуу коммутациялоочу кубат менен жабдууну долбоорлоодо, көпчүлүк адамдар MOSFETтин каршылыгын, максималдуу чыңалуусун жана максималдуу токту эске алышат. Бирок, адамдар схеманын туура иштеши үчүн бул факторлорду гана эске алышат, бирок бул жакшы дизайн чечими эмес. Көбүрөөк дизайн үчүн, MOSFET өзүнүн параметр маалыматын да эске алышы керек. Белгилүү MOSFET үчүн анын кыймылдаткыч чынжыры, дисктин эң жогорку агымы ж.
Посттун убактысы: 2024-жылдын 17-майына чейин
