MOSFET тандоо боюнча маанилүү кадамдар

Азыркы учурда илим менен техниканын тез өнүгүшү менен жарым өткөргүчтөр өнөр жайдын көбүрөөк тармактарында колдонулууда.MOSFET ошондой эле абдан кеңири таралган жарым өткөргүч түзүлүш болуп эсептелет, кийинки кадам биполярдык кристаллдык транзистордун мүнөздөмөлөрү менен MOSFET чыгуучу кубаттуулугунун ортосунда кандай айырма бар экенин түшүнүү болуп саналат.

1, иш жолу

MOSFET иштөө чыңалуусун илгерилетүү үчүн талап кылынган иш, схемалар салыштырмалуу жөнөкөй түшүндүрөт, кичинекей күчкө көмөктөшөт; кристаллдык транзистор - бул программанын дизайнын илгерилетүү үчүн күч агымы, спецификацияны илгерилетүү кыйын болгон тандоонун спецификациясын илгерилетүү үчүн электр менен жабдуунун жалпы которуштуруу ылдамдыгын коркунучка салат.

2, электр менен жабдуунун жалпы өтүү ылдамдыгы

Температуранын таасири тийген MOSFET кичинекей, электр энергиясы менен камсыздоону которуу чыгаруу күчү 150KHzден ашык болушун камсыздай алат; кубаттуу кристалл транзисторунун акысыз зарядын сактоо убактысы өтө аз, анын кубат менен камсыздоону которуу ылдамдыгы чектелет, бирок анын чыгуу кубаттуулугу жалпысынан 50 кГц ашык эмес.

3, коопсуз жумушчу аймак

Power MOSFET экинчилик негизи жок жана коопсуз иштөө аймагы кенен; кубаттуу кристалл транзисторунун коопсуз иштөө аймагын чектеген экинчилик негизи жагдайы бар.

4、Электр өткөргүчүнүн иштөө талабы жумушчу чыңалуу

КүчMOSFET жогорку чыңалуу түрүнө таандык, өткөрүү жумушчу талабы жумушчу чыңалуу жогору, оң температура коэффициенти бар; электр кристалл транзистор канчалык көп акча иштөө талабына чыдамдуу болсо да, электр өткөргүчүнүн иштөө талабы жумушчу чыңалуу төмөн жана терс температура коэффициентине ээ.

5, максималдуу күч агымы

Power MOSFET коммутациялык электр менен жабдуу чынжырында электр менен камсыздоо чынжырчасынын электр менен жабдуу чынжырында электр менен жабдууну өчүргүч катары, иштөөдө жана ортодо туруктуу иштөөдө, максималдуу электр агымы төмөн; жана кубаттуу кристалл транзисторунун иштеши жана ортосунда туруктуу иштөө, максималдуу кубаттуулук агымы жогору.

6、Продукциянын баасы

MOSFET кубаттуулугунун баасы бир аз жогору; электр кристалл триодунун баасы бир аз төмөн.

7, Кирүү эффекти

Power MOSFET эч кандай кириш таасири жок; кубаттуу кристалл транзисторунун кирүү эффекти бар.

8, Которуу жоготуу

MOSFET которуштуруу жоготуу чоң эмес; кубаттуу кристалл транзисторунун которуштуруу жоготуулары салыштырмалуу чоң.

Мындан тышкары, бийлик MOSFET интегралдык амортизатор диод, ал эми биполярдык электр кристалл транзистор дээрлик эч кандай интегралдык амортизатор diode.MOSFET амортизатор диод, ошондой эле электр менен камсыз кылуу чынжырларын магниттик катушкаларды өтүү үчүн универсалдуу магнит болушу мүмкүн, ал эми күч фактор бурчту берүү. электр агымынын коопсуздук каналынын. Амортизатордук диоддогу талаа эффектиси түтүгү жалпы диод менен өчүрүү процессинде тескери калыбына келтирүүчү токтун агымынын бар экендиги менен, бул учурда диод бир жагынан дренажды кабыл алат - булак уюлунун оң ортосу олуттуу жумушчу чыңалуудагы жумуш талаптарынын жогорулашы, экинчи жагынан, кайра калыбына келтирүүчү токтун агымы.