MOSFET иштебей калышын кантип алдын алса болот

Төмөндө болуп саналатMOS жараксыз алты негизги себептери.

1. Көчкү жараксыз (иштөө чыңалуусу жараксыз), ал көбүнчө BVdss иштөө чыңалуу булагынын ортосундагы агып кетүү MOSFETтин номиналдык агымынан ашып, MOSFETтин жараксыз болушуна алып келет.

2.SOA жараксыз (кубат агымы жараксыз), жараксыз менен шартталган MOSFET коопсуз иштөө аймагынын үстүнөн да, аппараттын спецификациясы боюнча Id болуп бөлүнөт жана жараксыз жана анын Id өтө чоң, жараксыздан келип чыккан түзмөктүн узак мөөнөттүү жылуулук топтолуусунун жогорку эскириши.

3. Жараксыз дене диоду. Көпүрөдө, ЖЧКда жана башка орган диодуна эффективдүү тармактын топологиясын улантууну жүзөгө ашырат, анткени дененин диоду жараксыз деп эсептелет.