• Facebook
  • linkedin
  • twitter
  • youtube
  • instagram
Email:business@olukey.com
English
Негизги MOSFET аныктоо жана тестирлөө

Негизги MOSFET аныктоо жана тестирлөө

Посттун убактысы: 2024-жылдын 18-июлуна чейин

1.Junction MOSFET пин аныктоо

дарбазасыMOSFET транзистордун негизи, ал эми дренаж жана булак коллектор жана эмитент болуп саналаттиешелүү транзистор. Мультиметрден R × 1k тиштүү, эки калем менен эки төөнөгүчтүн ортосундагы алдыга жана артка каршылыкты өлчөө үчүн. Качан эки пин алдыга каршылык = тескери каршылык = KΩ, башкача айтканда, S булагы жана дренаж D үчүн эки пин, калган пин G дарбазасы болуп саналат. Эгерде ал 4 пин болсотүйүн MOSFET, башка уюл жерге калкан пайдалануу болуп саналат.

Негизги MOSFET аныктоо жана тестирлөө 拷贝

2.Дарбазаны аныктоо　

 

Мультиметрдин кара калеми менен MOSFETге туш келди электрод тийсе, кызыл калем менен башка эки электродго тийиңиз. Эгерде эки өлчөнгөн каршылык тең аз болсо, экөө тең оң каршылык экенин көрсөтүп турат, түтүк N-канал MOSFETге таандык болсо, ошол эле кара калем байланышы да дарбаза болуп саналат.

 

Өндүрүш процесси MOSFETдин дренажы жана булагы симметриялуу жана бири-бири менен алмаштырылышы мүмкүн деп чечти жана схеманын колдонулушуна таасир этпейт, бул учурда схема да нормалдуу, ошондуктан баруунун кереги жок ашыкча айырмачылыкка. Дренаж менен булактын ортосундагы каршылык болжол менен бир нече миң Ом. Бул ыкманы MOSFET түрүндөгү изоляцияланган дарбазасынын дарбазасын аныктоо үчүн колдоно албайт. Бул MOSFETтин киришинин каршылыгы өтө жогору жана дарбаза менен булактын ортосундагы полярдык сыйымдуулук өтө аз болгондуктан, аз өлчөмдөгү заряддын өлчөөсү поляр аралыктын үстүндө түзүлүшү мүмкүн. өтө жогорку чыңалуу сыйымдуулугу, MOSFET зыян үчүн абдан жеңил болот.

Негизги MOSFET аныктоо жана тестирлөө(1)

3. MOSFETтердин күчөтүү жөндөмдүүлүгүн баалоо

 

Мультиметр R × 100 деп коюлганда, S булагын туташтыруу үчүн кызыл калемди колдонуңуз жана MOSFETге 1,5 В чыңалууну кошуу сыяктуу D дренажын туташтыруу үчүн кара калемди колдонуңуз. Бул учурда ийне DS уюлунун ортосундагы каршылык маанисин көрсөтөт. Бул учурда манжа менен G дарбазасын чымчыңыз, дененин индукцияланган чыңалуусу дарбазага кириш сигналы катары. MOSFET күчөтүү ролу болгондуктан, ID жана UDS өзгөрөт, башкача айтканда, DS уюлунун ортосундагы каршылык өзгөрдү, биз ийне чоң селкинчек амплитудасына ээ экенин байкай алабыз. колу дарбазаны чымчып болсо, ийне селкинчек абдан кичинекей, башкача айтканда, MOSFET күчөтүү жөндөмдүүлүгү салыштырмалуу начар; эгерде ийне MOSFET бузулганын көрсөтүүчү кичине аракетке ээ болбосо.

байланыштууМазмун

Издөө үчүн enter баскычын же жабуу үчүн ESC баскычын басыңыз