MOSFETтин натыйжасыздыгынын себептерин талдоо

1, чыңалуу бузулушу көбүнчө BVdss чыңалуу булагынын ортосундагы агып кетүү mosfetтин номиналдык чыңалуусунан ашат деп айтылат жана белгилүү бир мүмкүнчүлүктөн тышкары mosfet бузулушуна алып келет.

2, mosfet коопсуз иштөө диапазонунан ашкан учурдагы бузулуу жана жараксыз, Idге бөлүнгөн, аппараттын мүнөздөмөлөрүнөн ашып кетет жана анын Id менен шартталган бузулуу өтө чоң, жогорку эскирүү жана узак мөөнөттүү жылуулук топтолушуна алып келет. аппарат жана ката.

3, көпүрөдө, ЖЧК жана башка дене диоду учурдагы топологияны жүргүзүү үчүн эффективдүү, анткени дене диоду талкаланган жана жараксыз.

4, параллелдүү колдонуу процессинде, микросхемалардын паразиттик параметрлери менен дарбаза термелүүгө алып келет, резонанстык бузулууга алып келет.

5, кургак чөйрөдө, анткени адамдын денеси жана жабдуулар жана статикалык электр аппарат тарабынан өндүрүлгөн статикалык натыйжасыз алып келет.

6. Дарбазадагы чыңалуу жараксыз, анткени дарбазадагы анормалдуу иштөө чыңалуусу.

Жогоруда айтылгандарга негизделгенMOSFETийгиликсиздиктин себептерин талдоо, биз тиешелүү иштетүү операцияларын жасайбыз, башка маселелер бар, биз менен онлайн Guanhua Weiye компаниясы менен кеңешүүгө кош келиңиз, сизге эффективдүү жоопторду жана сапаттуу тейлөө мамилесин бере алат.
олукейкомпания "биринчи сапат, биринчи кызмат" максатына жана көптөгөн жогорку технологиялык ишканаларга карманып, кредиттик аман калуу үчүн, үйдө жана чет өлкөдө, баштапкы фабрика жакшы жумушчу мамилелерди түзүү үчүн, бөлүштүрүү боюнча көп жылдык кесиптик тажрыйбасы менен, жакшы кредит менен, мыкты тейлөө, ишеним жана колдоо кенен спектрине жетүү.