WSD80120DN56 N-канал 85V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET продуктусу
WSD80120DN56 MOSFET чыңалуусу 85V, ток 120А, каршылыгы 3.7mΩ, канал N-канал, пакети DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET колдонмо аймактары
Медициналык чыңалуу MOSFET, фотоаппарат MOSFET, дрондор MOSFET, өнөр жайлык башкаруу MOSFET, 5G MOSFET, автомобиль электроникасы MOSFET.
WINSOK MOSFET башка бренд материалдык номерлерине туура келет
AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL13N8F7, STL135N8F7AG.
MOSFET параметрлери
| Символ | Параметр | Рейтинг | Бирдиктер |
| VDS | Дренаждын булагы Voltage | 85 | V |
| VGS | Gate-Source Voltage | ±25 | V |
| ID@TC=25℃ | Үзгүлтүксүз агызуучу ток, ВGS@ 10V | 120 | A |
| ID@TC=100℃ | Үзгүлтүксүз агызуучу ток, ВGS@ 10V | 96 | A |
| IDM | Импульстук дренаждык ток..TC=25°C | 384 | A |
| EAS | Көчкү энергиясы, Бир импульс, L=0,5mH | 320 | mJ |
| IAS | Көчкү агымы, Жалгыз импульс, L=0,5mH | 180 | A |
| PD@TC=25℃ | Толук кубаттуулуктун чыгымдалышы | 104 | W |
| PD@TC=100℃ | Толук кубаттуулуктун чыгымдалышы | 53 | W |
| TSTG | Сактоо Температура диапазону | -55тен 175ке чейин | ℃ |
| TJ | Иштөө түйүнүнүн температура диапазону | 175 | ℃ |
| Символ | Параметр | Шарттар | Мин. | Typ. | Макс. | бирдиги |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, ИD=250уА | 85 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSТемпература коэффициенти | 25ке шилтеме℃, ИD=1мА | --- | 0.096 | --- | V/℃ |
| RDS(КҮЙҮК) | Static Drain-Source On-Resistance | VGS=10V,ID=50А | --- | 3.7 | 4.8 | mΩ |
| VGS(th) | Дарбаза босогосу | VGS=VDS, ИD=250уА | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Температура коэффициенти | --- | -5.5 | --- | мВ/℃ | |
| IDSS | Дренаждык булактан агып кетүү агымы | VDS=85В, ВGS=0V, ТJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=85В, ВGS=0V, ТJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±25V, ВDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Rg | Gate Resistance | VDS=0V, ВGS=0V, f=1MHz | --- | 3.2 | --- | Ω |
| Qg | Жалпы дарбаза заряды (10V) | VDS=50В, ВGS=10V, ID=10А | --- | 54 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 17 | --- | ||
| Qgd | Gate-Dren Charge | --- | 11 | --- | ||
| Td(күйгүзүлгөн) | Күйгүзүүнүн кечигүү убактысы | VDD=50В, ВGS=10V, RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=10A. | --- | 21 | --- | ns |
| Tr | Rise Time | --- | 18 | --- | ||
| Td(өчүрүү) | Өчүрүү кечигүү убактысы | --- | 36 | --- | ||
| Tf | Кулоо убагы | --- | 10 | --- | ||
| Cисс | Киргизүү сыйымдуулугу | VDS=40В, ВGS=0V, f=1MHz | --- | 3750 | --- | pF |
| Coss | Output Capacitance | --- | 395 | --- | ||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | --- | 180 | --- |
