WSD80100DN56 N-канал 80V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET продуктусу
WSD80100DN56 MOSFET чыңалуусу 80V, ток 100А, каршылыгы 6.1mΩ, канал N-канал, пакети DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET колдонмо аймактары
Дрондор MOSFET, моторлор MOSFET, автомобиль электроника MOSFET, негизги приборлор MOSFET.
WINSOK MOSFET башка бренд материалдык номерлерине туура келет
AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL1N8F7.POTENS Semiconductor MOSFET PDC7966X.
MOSFET параметрлери
| Символ | Параметр | Рейтинг | Бирдиктер |
| VDS | Дренаждын булагы Voltage | 80 | V |
| VGS | Gate-Source Voltage | ±20 | V |
| TJ | Максималдуу кошулуу температурасы | 150 | °C |
| ID | Сактоо Температура диапазону | -55тен 150гө чейин | °C |
| ID | Үзгүлтүксүз агызуучу ток, ВGS=10В,ТC=25°C | 100 | A |
| Үзгүлтүксүз агызуучу ток, ВGS=10В,ТC=100°C | 80 | A | |
| IDM | Импульстук дренаждык ток, ТC=25°C | 380 | A |
| PD | Максималдуу кубаттуулукту диссипациялоо, ТC=25°C | 200 | W |
| RqJC | Температуралык каршылык-кошумча | 0.8 | °C |
| EAS | Көчкү энергиясы, Бир импульс, L=0,5mH | 800 | mJ |
| Символ | Параметр | Шарттар | Мин. | Typ. | Макс. | бирдиги |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, ИD=250уА | 80 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSТемпература коэффициенти | 25ке шилтеме℃, ИD=1мА | --- | 0.043 | --- | V/℃ |
| RDS(КҮЙҮК) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=10V , ID=40А | --- | 6.1 | 8.5 | mΩ |
| VGS(th) | Дарбаза босогосу | VGS=VDS, ИD=250уА | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Температура коэффициенти | --- | -6,94 | --- | мВ/℃ | |
| IDSS | Дренаждык булактан агып кетүү агымы | VDS=48В, ВGS=0V, ТJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=48В, ВGS=0V, ТJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±20В, ВDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Forward Transconductance | VDS=5V, ID=20А | 80 | --- | --- | S |
| Qg | Жалпы дарбаза заряды (10V) | VDS=30В, ВGS=10V, ID=30А | --- | 125 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 24 | --- | ||
| Qgd | Gate-Dren Charge | --- | 30 | --- | ||
| Td(күйгүзүлгөн) | Күйгүзүүнүн кечигүү убактысы | VDD=30В, ВGS=10V, RG=2.5Ω, ИD=2A ,RL=15Ω. | --- | 20 | --- | ns |
| Tr | Rise Time | --- | 19 | --- | ||
| Td(өчүрүү) | Өчүрүү кечигүү убактысы | --- | 70 | --- | ||
| Tf | Кулоо убагы | --- | 30 | --- | ||
| Cисс | Киргизүү сыйымдуулугу | VDS=25В, ВGS=0V, f=1MHz | --- | 4900 | --- | pF |
| Coss | Output Capacitance | --- | 410 | --- | ||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | --- | 315 | --- |
