WSD60N12GDN56 N-канал 120V 70A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET продуктусу
WSD60N12GDN56 MOSFET чыңалуусу 120V, ток 70А, каршылыгы 10мΩ, канал N-канал, пакети DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET колдонмо аймактары
Медициналык жабдуулар MOSFET, дрондор MOSFET, PD энергия булактары MOSFET, LED энергия булактары MOSFET, өнөр жай жабдуулары MOSFET.
MOSFET тиркеме талааларыWINSOK MOSFET башка бренд материалдык номерлерине туура келет
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.POTENS Semiconductor MOSFET PDC974X.
MOSFET параметрлери
| Символ | Параметр | Рейтинг | Бирдиктер |
| VDS | Дренаждын булагы Voltage | 120 | V |
| VGS | Gate-Source Voltage | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Үзгүлтүксүз дренаждык агым | 70 | A |
| IDP | Импульстук дренаждык ток | 150 | A |
| EAS | Avalanche Energy, Жалгыз импульс | 53.8 | mJ |
| PD@TC=25℃ | Толук кубаттуулуктун чыгымдалышы | 140 | В |
| TSTG | Сактоо Температура диапазону | -55тен 150гө чейин | ℃ |
| TJ | Иштөө түйүнүнүн температура диапазону | -55тен 150гө чейин | ℃ |
| Символ | Параметр | Шарттар | Мин. | Typ. | Макс. | бирдиги |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, ИD=250уА | 120 | --- | --- | V |
| Static Drain-Source On-Resistance | VGS=10V,ID=10A. | --- | 10 | 15 | мΩ | |
| RDS(КҮЙҮК) | VGS=4,5V,ID=10A. | --- | 18 | 25 | мΩ | |
| VGS(th) | Дарбаза босогосу | VGS=VDS, ИD=250уА | 1.2 | --- | 2.5 | V |
| IDSS | Дренаждык булактан агып кетүү агымы | VDS=80В, ВGS=0V, ТJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | Жалпы дарбаза заряды (10V) | VDS=50В, ВGS=10V, ID=25А | --- | 33 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 5.6 | --- | ||
| Qgd | Gate-Dren Charge | --- | 7.2 | --- | ||
| Td(күйгүзүлгөн) | Күйгүзүүнүн кечигүү убактысы | VDD=50В, ВGS=10V, RG=2Ω, ID=25А | --- | 22 | --- | ns |
| Tr | Rise Time | --- | 10 | --- | ||
| Td(өчүрүү) | Өчүрүү кечигүү убактысы | --- | 85 | --- | ||
| Tf | Күз мезгили | --- | 112 | --- | ||
| Cисс | Киргизүү сыйымдуулугу | VDS=50В, ВGS=0V, f=1MHz | --- | 2640 | --- | pF |
| Coss | Output Capacitance | --- | 330 | --- | ||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | --- | 11 | --- | ||
| IS | Үзгүлтүксүз булак агымы | VG=VD=0V , Күчтүү ток | --- | --- | 50 | A |
| ISP | Импульстук булак агымы | --- | --- | 150 | A | |
| VSD | Diode Forward Voltage | VGS=0V, ИS=12А, ТJ=25℃ | --- | --- | 1.3 | V |
| trr | Кайра калыбына келтирүү убактысы | IF=25A,dI/dt=100A/μs,TJ=25℃ | --- | 62 | --- | nS |
| Qrr | Кайра калыбына келтирүү заряды | --- | 135 | --- | nC |
