WSD4280DN22 кош P-канал -15V -4.6A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET продуктусу
WSD4280DN22 MOSFET чыңалуусу -15V, ток -4.6A, каршылык 47mΩ, канал Dual P-канал жана пакет DFN2X2-6L.
WINSOK MOSFET колдонмо аймактары
эки багыттуу бөгөттөө которуштуруу; DC-DC конверсия колдонмолору; Li-батареяны заряддоо; E-тамеки MOSFET, зымсыз заряддоо MOSFET, унааны заряддоо MOSFET, контроллер MOSFET, санарип продукт MOSFET, чакан тиричилик техникасы MOSFET, керектөөчү электроника MOSFET.
WINSOK MOSFET башка бренд материалдык номерлерине туура келет
PANJIT MOSFET PJQ2815
MOSFET параметрлери
| Символ | Параметр | Рейтинг | Бирдиктер |
| VDS | Дренаждын булагы Voltage | -15 | V |
| VGS | Gate-Source Voltage | ±8 | V |
| ID@Tc=25℃ | Үзгүлтүксүз агызуучу ток, ВGS= -4.5V1 | -4.6 | A |
| IDM | 300μS импульстүү дренаждык ток, (VGS=-4.5V) | -15 | A |
| PD | ТA = 25°C (Эскертүү 2) | 1.9 | W |
| ТСТГ, ТJ | Сактоо Температура диапазону | -55тен 150гө чейин | ℃ |
| RθJA | Жылуулук каршылык Junction-чөйрө1 | 65 | ℃/Вт |
| RθJC | Жылуулук каршылык Junction-Case1 | 50 | ℃/Вт |
Электрдик мүнөздөмөлөр (TJ = 25 ℃, башкача белгиленбесе)
| Символ | Параметр | Шарттар | Мин. | Typ. | Макс. | бирдиги |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, ИD=-250уА | -15 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS температуралык коэффициенти | 25 ℃ шилтемеси, ID=-1мА | --- | -0,01 | --- | V/℃ |
| RDS(КҮЙҮК) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=-4.5V, ID=-1А | --- | 47 | 61 | мΩ |
| VGS=-2.5V, ID=-1А | --- | 61 | 80 | |||
| VGS=-1.8V, ID=-1А | --- | 90 | 150 | |||
| VGS(th) | Дарбаза босогосу | VGS=VDS, ИD=-250уА | -0,4 | -0,62 | -1.2 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Температура коэффициенти | --- | 3.13 | --- | мВ/℃ | |
| IDSS | Дренаждык булактан агып кетүү агымы | VDS=-10V, VGS=0V, ТJ=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-10V, VGS=0V, ТJ=55℃ | --- | --- | -5 | |||
| IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±12V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Forward Transconductance | VDS=-5V, ID=-1А | --- | 10 | --- | S |
| Rg | Gate Resistance | VDS=0V, ВGS=0V, f=1MHz | --- | 2 | --- | Ω |
| Qg | Жалпы дарбаза заряды (-4,5V) | VDS=-10V, VGS=-4.5V, ID=-4,6А | --- | 9.5 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 1.4 | --- | ||
| Qgd | Gate-Dren Charge | --- | 2.3 | --- | ||
| Td(күйгүзүлгөн) | Күйгүзүүнүн кечигүү убактысы | VDD=-10V,VGS=-4,5V, RG=1Ω ID=-3,9А, | --- | 15 | --- | ns |
| Tr | Rise Time | --- | 16 | --- | ||
| Td(өчүрүү) | Өчүрүү кечигүү убактысы | --- | 30 | --- | ||
| Tf | Күз мезгили | --- | 10 | --- | ||
| Cисс | Киргизүү сыйымдуулугу | VDS=-10V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 781 | --- | pF |
| Coss | Output Capacitance | --- | 98 | --- | ||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | --- | 96 | --- |
