WSD4076DN56 N-канал 40V 76A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET продуктусу
WSD4076DN56 MOSFET чыңалуусу 40V, ток 76А, каршылыгы 6,9мΩ, канал N-канал, пакети DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET колдонмо аймактары
Чакан приборлор MOSFET, кол приборлору MOSFET, моторлор MOSFET.
WINSOK MOSFET башка бренд материалдык номерлерине туура келет
STMicroelectronics MOSFET STL52DN4LF7AG, STL64DN4F7AG, STL64N4F7AG.
PANJIT MOSFET PJQ5442.
POTENS жарым өткөргүч MOSFET PDC496X.
MOSFET параметрлери
| Символ | Параметр | Рейтинг | Бирдиктер |
| VDS | Дренаждын булагы Voltage | 40 | V |
| VGS | Gate-Source Voltage | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Үзгүлтүксүз агызуучу ток, ВGS@ 10V | 76 | A |
| ID@TC=100℃ | Үзгүлтүксүз агызуучу ток, ВGS@ 10V | 33 | A |
| IDM | Импульстук дренаждык токa | 125 | A |
| EAS | Single Pulse Avalanche Energyb | 31 | mJ |
| IAS | Көчкү агымы | 31 | A |
| PD@Ta=25℃ | Толук кубаттуулуктун чыгымдалышы | 1.7 | W |
| TSTG | Сактоо Температура диапазону | -55тен 150гө чейин | ℃ |
| TJ | Иштөө түйүнүнүн температура диапазону | -55тен 150гө чейин | ℃ |
| Символ | Параметр | Шарттар | Мин. | Typ. | Макс. | бирдиги |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, ИD=250уА | 40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSТемпература коэффициенти | 25ке шилтеме℃, ИD=1мА | --- | 0.043 | --- | V/℃ |
| RDS(КҮЙҮК) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=10V , ID=12A | --- | 6.9 | 8.5 | mΩ |
| RDS(КҮЙҮК) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=4,5V , ID=10А | --- | 10 | 15 | мΩ |
| VGS(th) | Дарбаза босогосу | VGS=VDS, ИD=250уА | 1.5 | 1.6 | 2.5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Температура коэффициенти | --- | -6,94 | --- | мВ/℃ | |
| IDSS | Дренаждык булактан агып кетүү агымы | VDS=32V, ВGS=0V, ТJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=32V, ВGS=0V, ТJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±20В, ВDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Forward Transconductance | VDS=5V, ID=20А | --- | 18 | --- | S |
| Rg | Gate Resistance | VDS=0V, ВGS=0V, f=1MHz | --- | 1.7 | --- | Ω |
| Qg | Жалпы дарбаза заряды (10V) | VDS=20В, ВGS=4,5V, ID=12A | --- | 5.8 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 3.0 | --- | ||
| Qgd | Gate-Dren Charge | --- | 1.2 | --- | ||
| Td(күйгүзүлгөн) | Күйгүзүүнүн кечигүү убактысы | VDD=15В, ВГЕН=10В, РG=3.3Ω, ИD=1A. | --- | 12 | --- | ns |
| Tr | Rise Time | --- | 5.6 | --- | ||
| Td(өчүрүү) | Өчүрүү кечигүү убактысы | --- | 20 | --- | ||
| Tf | Кулоо убагы | --- | 11 | --- | ||
| Cисс | Киргизүү сыйымдуулугу | VDS=15В, ВGS=0V, f=1MHz | --- | 680 | --- | pF |
| Coss | Output Capacitance | --- | 185 | --- | ||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | --- | 38 | --- |
