WSD4018DN22 P-канал -40V -18A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET продуктусу
WSD4018DN22 MOSFET чыңалуусу -40V, ток -18A, каршылык 26mΩ, канал P-канал, пакети DFN2X2-6L.
WINSOK MOSFET колдонмо аймактары
Өркүндөтүлгөн жогорку клетка тыгыздыгы Тренч технологиясы, Super Low Gate Charge, Мыкты Cdv/dt эффектинин төмөндөшү Green Device Жеткиликтүү, Бетти таануу жабдуулары MOSFET, электрондук тамеки MOSFET, чакан тиричилик шаймандары MOSFET, унаа заряддоочу MOSFET.
WINSOK MOSFET башка бренд материалдык номерлерине туура келет
AOS MOSFET AON2409,POTENS MOSFET PDB3909L
MOSFET параметрлери
| Символ | Параметр | Рейтинг | Бирдиктер |
| VDS | Дренаждын булагы Voltage | -40 | V |
| VGS | Gate-Source Voltage | ±20 | V |
| ID@Tc=25℃ | Үзгүлтүксүз агызуучу ток, ВGS@ -10V1 | -18 | A |
| ID@Tc=70℃ | Үзгүлтүксүз агызуучу ток, ВGS@ -10V1 | -14.6 | A |
| IDM | 300μS импульстук дренаждык ток, VGS=-4.5V2 | 54 | A |
| PD@Tc=25℃ | Толук кубаттуулуктун чыгымдалышы3 | 19 | W |
| TSTG | Сактоо Температура диапазону | -55тен 150гө чейин | ℃ |
| TJ | Иштөө түйүнүнүн температура диапазону | -55тен 150гө чейин | ℃ |
Электрдик мүнөздөмөлөрү (TJ = 25 ℃, башкача белгиленбесе)
| Символ | Параметр | Шарттар | Мин. | Typ. | Макс. | бирдиги |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, ИD=-250уА | -40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS температуралык коэффициенти | 25 ℃ шилтемеси, ID=-1мА | --- | -0,01 | --- | V/℃ |
| RDS(КҮЙҮК) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=-10V, ID=-8,0А | --- | 26 | 34 | мΩ |
| VGS=-4.5V, ID=-6,0А | --- | 31 | 42 | |||
| VGS(th) | Дарбаза босогосу | VGS=VDS, ИD=-250уА | -1,0 | -1.5 | -3.0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Температура коэффициенти | --- | 3.13 | --- | мВ/℃ | |
| IDSS | Дренаждык булактан агып кетүү агымы | VDS=-40В, ВGS=0V, ТJ=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-40В, ВGS=0V, ТJ=55℃ | --- | --- | -5 | |||
| IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | Жалпы дарбаза заряды (-4,5V) | VDS=-20В, ВGS=-10V, ID=-1,5А | --- | 27 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 2.5 | --- | ||
| Qgd | Gate-Dren Charge | --- | 6.7 | --- | ||
| Td(күйгүзүлгөн) | Күйгүзүүнүн кечигүү убактысы | VDD=-20В, ВGS=-10V,RG=3Ω , RL=10Ω | --- | 9.8 | --- | ns |
| Tr | Rise Time | --- | 11 | --- | ||
| Td(өчүрүү) | Өчүрүү кечигүү убактысы | --- | 54 | --- | ||
| Tf | Кулоо убагы | --- | 7.1 | --- | ||
| Cисс | Киргизүү сыйымдуулугу | VDS=-20В, ВGS=0V, f=1MHz | --- | 1560 | --- | pF |
| Coss | Output Capacitance | --- | 116 | --- | ||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | --- | 97 | --- |
