WSD40120DN56 N-канал 40V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET продуктусу
WSD40120DN56 MOSFET чыңалуусу 40V, ток 120А, каршылыгы 1.85mΩ, канал N-канал, пакети DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET колдонмо аймактары
Электрондук тамекилер MOSFET, зымсыз заряддоо MOSFET, дрондор MOSFET, медициналык жардам MOSFET, унаа заряддоочу шаймандар MOSFET, MOSFET контроллерлору, MOSFET санариптик буюмдар, чакан тиричилик техникасы MOSFET, керектөөчү электроника MOSFET.
WINSOK MOSFET башка бренд материалдык номерлерине туура келет
AOS MOSFET AON6234,AON6232,AON623.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NVMFS5C442NL.VISHAY MOSFET SiRA52ADP,SiJA52ADP.STMicroelectronics MOSFET STL12N4LF6AGFOSP1F12 4PB.PANJIT MOSFET PJQ544.NIKO-SEM MOSFET PKCSBB.POTENS Semiconductor MOSFET PDC496X.
MOSFET параметрлери
| Символ | Параметр | Рейтинг | Бирдиктер |
| VDS | Дренаждын булагы Voltage | 40 | V |
| VGS | Gate-Source Voltage | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Үзгүлтүксүз агызуучу ток, ВGS@ 10V1,7 | 120 | A |
| ID@TC=100℃ | Үзгүлтүксүз агызуучу ток, ВGS@ 10V1,7 | 100 | A |
| IDM | Импульстук дренаждык ток2 | 400 | A |
| EAS | Single Pulse Avalanche Energy3 | 240 | mJ |
| IAS | Көчкү агымы | 31 | A |
| PD@TC=25℃ | Толук кубаттуулуктун чыгымдалышы4 | 104 | W |
| TSTG | Сактоо Температура диапазону | -55тен 150гө чейин | ℃ |
| TJ | Иштөө түйүнүнүн температура диапазону | -55тен 150гө чейин | ℃ |
| Символ | Параметр | Шарттар | Мин. | Typ. | Макс. | бирдиги |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, ИD=250уА | 40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSТемпература коэффициенти | 25ке шилтеме℃, ИD=1мА | --- | 0.043 | --- | V/℃ |
| RDS(КҮЙҮК) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=10V , ID=30А | --- | 1.85 | 2.4 | mΩ |
| RDS(КҮЙҮК) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=4,5V , ID=20А | --- | 2.5 | 3.3 | мΩ |
| VGS(th) | Дарбаза босогосу | VGS=VDS, ИD=250уА | 1.5 | 1.8 | 2.5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Температура коэффициенти | --- | -6,94 | --- | мВ/℃ | |
| IDSS | Дренаждык булактан агып кетүү агымы | VDS=32V, ВGS=0V, ТJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=32V, ВGS=0V, ТJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±20В, ВDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Forward Transconductance | VDS=5V, ID=20А | --- | 55 | --- | S |
| Rg | Gate Resistance | VDS=0V, ВGS=0V, f=1MHz | --- | 1.1 | 2 | Ω |
| Qg | Жалпы дарбаза заряды (10V) | VDS=20В, ВGS=10V, ID=10А | --- | 76 | 91 | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 12 | 14.4 | ||
| Qgd | Gate-Dren Charge | --- | 15.5 | 18.6 | ||
| Td(күйгүзүлгөн) | Күйгүзүүнүн кечигүү убактысы | VDD=30В, ВГЕН=10В, РG=1Ω, ИD=1A ,RL=15Ω. | --- | 20 | 24 | ns |
| Tr | Rise Time | --- | 10 | 12 | ||
| Td(өчүрүү) | Өчүрүү кечигүү убактысы | --- | 58 | 69 | ||
| Tf | Күз мезгили | --- | 34 | 40 | ||
| Cисс | Киргизүү сыйымдуулугу | VDS=20В, ВGS=0V, f=1MHz | --- | 4350 | --- | pF |
| Coss | Output Capacitance | --- | 690 | --- | ||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | --- | 370 | --- |
