WSD40110DN56G N-канал 40V 110A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET продуктусу
WSD4080DN56 MOSFET чыңалуусу 40V, ток 85А, каршылыгы 4.5mΩ, канал N-канал, пакети DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET колдонмо аймактары
Чакан приборлор MOSFET, кол приборлору MOSFET, моторлор MOSFET.
WINSOK MOSFET башка бренд материалдык номерлерине туура келет
AOS MOSFET AON623.STMicroelectronics MOSFET STL52DN4LF7AG,STL64DN4F7AG,STL64N4F7AG.PANJIT MOSFET PJQ5442.POTENS Semiconductor MOSFET PDC496X.
MOSFET параметрлери
| Символ | Параметр | Рейтинг | Бирдиктер |
| VDS | Дренаждын булагы Voltage | 40 | V |
| VGS | Gate-Source Voltage | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Үзгүлтүксүз агызуучу ток, ВGS @ 10V1 | 85 | A |
| ID@TC=100℃ | Үзгүлтүксүз агызуучу ток, ВGS @ 10V1 | 58 | A |
| IDM | Импульстук дренаждык ток2 | 100 | A |
| EAS | Single Pulse Avalanche Energy3 | 110.5 | mJ |
| IAS | Көчкү агымы | 47 | A |
| PD@TC=25℃ | Толук кубаттуулуктун чыгымдалышы4 | 52.1 | W |
| TSTG | Сактоо Температура диапазону | -55тен 150гө чейин | ℃ |
| TJ | Иштөө түйүнүнүн температура диапазону | -55тен 150гө чейин | ℃ |
| RθJA | Жылуулук каршылык Junction-Ambient1 | 62 | ℃/W |
| RθJC | Жылуулук каршылык Junction-Case1 | 2.4 | ℃/W |
| Символ | Параметр | Шарттар | Мин. | Typ. | Макс. | бирдиги |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, ID=250uA | 40 | --- | --- | V |
| RDS(КҮЙҮК) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=10V , ID=10A | --- | 4.5 | 6.5 | мΩ |
| VGS=4,5V , ID=5A | --- | 6.4 | 8.5 | |||
| VGS(th) | Дарбаза босогосу | VGS=VDS, ID =250uA | 1.0 | --- | 2.5 | V |
| IDSS | Дренаждык булактан агып кетүү агымы | VDS=32V , VGS=0V , TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=32V , VGS=0V , TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±20V , VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Forward Transconductance | VDS=10V, ID=5A | --- | 27 | --- | S |
| Qg | Жалпы дарбаза заряды (4,5V) | VDS=20V, VGS=4,5V, ID=10A | --- | 20 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 5.8 | --- | ||
| Qgd | Gate-Dren Charge | --- | 9.5 | --- | ||
| Td(күйгүзүлгөн) | Күйгүзүүнүн кечигүү убактысы | VDD=15V , VGS=10V RG=3.3Ω ID=1A | --- | 15.2 | --- | ns |
| Tr | Rise Time | --- | 8.8 | --- | ||
| Td(өчүрүү) | Өчүрүү кечигүү убактысы | --- | 74 | --- | ||
| Tf | Күз мезгили | --- | 7 | --- | ||
| Ciss | Киргизүү сыйымдуулугу | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2354 | --- | pF |
| Coss | Output Capacitance | --- | 215 | --- | ||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | --- | 175 | --- | ||
| IS | Үзгүлтүксүз булак агымы1,5 | VG=VD=0V , Күчтүү ток | --- | --- | 70 | A |
| VSD | Diode Forward Voltage2 | VGS=0V , IS=1A , TJ=25℃ | --- | --- | 1 | V |
