WSD30300DN56G N-канал 30V 300A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET продуктусу
WSD20100DN56 MOSFET чыңалуусу 20V, ток 90А, каршылыгы 1.6mΩ, канал N-канал, пакети DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET колдонмо аймактары
Электрондук тамекилери MOSFET, дрондор MOSFET, электр шаймандары MOSFET, фассия мылтыктары MOSFET, PD MOSFET, чакан тиричилик техникасы MOSFET.
WINSOK MOSFET башка бренд материалдык номерлерине туура келет
AOS MOSFET AON6572.
POTENS жарым өткөргүч MOSFET PDC394X.
MOSFET параметрлери
| Символ | Параметр | Рейтинг | Бирдиктер |
| VDS | Дренаждын булагы Voltage | 20 | V |
| VGS | Gate-Source Voltage | ±12 | V |
| ID@TC=25℃ | Үзгүлтүксүз дренаждык агым1 | 90 | A |
| ID@TC=100℃ | Үзгүлтүксүз дренаждык агым1 | 48 | A |
| IDM | Импульстук дренаждык ток2 | 270 | A |
| EAS | Single Pulse Avalanche Energy3 | 80 | mJ |
| IAS | Көчкү агымы | 40 | A |
| PD@TC=25℃ | Толук кубаттуулуктун чыгымдалышы4 | 83 | W |
| TSTG | Сактоо Температура диапазону | -55тен 150гө чейин | ℃ |
| TJ | Иштөө түйүнүнүн температура диапазону | -55тен 150гө чейин | ℃ |
| RθJA | Жылуулук каршылык Junction-чөйрө1(t≦10S) | 20 | ℃/W |
| RθJA | Жылуулук каршылык Junction-чөйрө1(Туруктуу абал) | 55 | ℃/W |
| RθJC | Термикалык каршылыктын түйүнү1 | 1.5 | ℃/W |
| Символ | Параметр | Шарттар | Мин | Typ | Макс | бирдиги |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, ID=250uA | 20 | 23 | --- | V |
| VGS(th) | Дарбаза босогосу | VGS=VDS, ID =250uA | 0.5 | 0,68 | 1.0 | V |
| RDS(КҮЙҮК) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=10V , ID=20A | --- | 1.6 | 2.0 | мΩ |
| RDS(КҮЙҮК) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=4,5V , ID=20A | 1.9 | 2.5 | мΩ | |
| RDS(КҮЙҮК) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=2.5V , ID=20A | --- | 2.8 | 3.8 | мΩ |
| IDSS | Дренаждык булактан агып кетүү агымы | VDS=16V , VGS=0V , TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=16V , VGS=0V , TJ=125℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±10V , VDS=0V | --- | --- | ±10 | uA |
| Rg | Gate Resistance | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.2 | --- | Ω |
| Qg | Жалпы дарбаза заряды (10V) | VDS=15V, VGS=10V, ID=20A | --- | 77 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 8.7 | --- | ||
| Qgd | Gate-Dren Charge | --- | 14 | --- | ||
| Td(күйгүзүлгөн) | Күйгүзүүнүн кечигүү убактысы | VDD=15V, VGS=10V, RG=3, ID=20A | --- | 10.2 | --- | ns |
| Tr | Rise Time | --- | 11.7 | --- | ||
| Td(өчүрүү) | Өчүрүү кечигүү убактысы | --- | 56.4 | --- | ||
| Tf | Кулоо убагы | --- | 16.2 | --- | ||
| Ciss | Киргизүү сыйымдуулугу | VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 4307 | --- | pF |
| Coss | Output Capacitance | --- | 501 | --- | ||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | --- | 321 | --- | ||
| IS | Үзгүлтүксүз булак агымы1,5 | VG=VD=0V , Күчтүү ток | --- | --- | 50 | A |
| VSD | Diode Forward Voltage2 | VGS=0V , IS=1A , TJ=25℃ | --- | --- | 1.2 | V |
| trr | Кайра калыбына келтирүү убактысы | IF=20A , di/dt=100A/μs , TJ=25℃ | --- | 22 | --- | nS |
| Qrr | Кайра калыбына келтирүү заряды | --- | 72 | --- | nC |
