WSD3023DN56 N-Ch жана P-канал 30V/-30V 14A/-12A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

буюмдар

WSD3023DN56 N-Ch жана P-канал 30V/-30V 14A/-12A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

кыскача сүрөттөмө:


  • Модель номери:WSD3023DN56
  • BVDSS:30V/-30V
  • RDSON:14mΩ/23mΩ
  • ID:14A/-12A
  • Канал:N-Ch жана P-канал
  • Пакет:DFN5*6-8
  • Продукт жайкы:WSD3023DN56 MOSFET чыңалуу 30V / -30V, учурдагы is14A / -12A, каршылык 14mΩ / 23mΩ, канал N-Ch жана P-канал, жана пакет DFN5 * 6-8 болуп саналат.
  • Тиркемелер:Дрондор, моторлор, автомобиль электроникасы, негизги приборлор.
  • Продукт чоо-жайы

    Колдонмо

    Продукт тегдери

    Жалпы сүрөттөмө

    WSD3023DN56 - бул эң жогорку натыйжалуу N-ch жана P-ch MOSFET траншеялары, клетканын тыгыздыгы өтө жогору, алар синхрондуу бак конвертер колдонмолорунун көпчүлүгү үчүн мыкты RDSON жана дарбаза зарядын камсыз кылат. WSD3023DN56 RoHS жана Green Product талаптарына жооп берет, 100% EAS кепилдик менен толук функциянын ишенимдүүлүгү бекитилген.

    Өзгөчөлүктөрү

    Өркүндөтүлгөн жогорку клетка тыгыздыгы Тренч технологиясы, Супер төмөн дарбаза заряды, CdV/dt эффектинин эң жакшы төмөндөшү, 100% EAS кепилдиги, Жашыл түзмөк жеткиликтүү.

    Тиркемелер

    MB/NB/UMPC/VGA үчүн жогорку жыштыктагы синхрондуу бак конвертер, тармактык DC-DC электр тутуму, CCFL арткы жарык инвертору, дрондор, моторлор, автомобиль электроникасы, негизги приборлор.

    тиешелүү материал номери

    PANJIT PJQ5606

    Маанилүү параметрлер

    Символ Параметр Рейтинг Бирдиктер
    Н-Ч П-Ч
    VDS Дренаждын булагы Voltage 30 -30 V
    VGS Gate-Source Voltage ±20 ±20 V
    ID Үзгүлтүксүз агызуучу ток, VGS(NP)=10V,Ta=25℃ 14* -12 A
    Үзгүлтүксүз агызуучу ток, VGS(NP)=10V,Ta=70℃ 7.6 -9.7 A
    IDP а Импульстук дренаждык ток текшерилди, VGS(NP)=10V 48 -48 A
    EAS c Avalanche Energy, Single Pulse , L=0,5mH 20 20 mJ
    IAS c Көчкү агымы, Жалгыз импульс, L=0,5mH 9 -9 A
    PD Жалпы кубаттуулуктун чыгымдалышы, Ta=25℃ 5.25 5.25 W
    TSTG Сактоо Температура диапазону -55тен 175ке чейин -55тен 175ке чейин
    TJ Иштөө түйүнүнүн температура диапазону 175 175
    RqJA b Жылуулук каршылык - Айлана-чөйрөгө кошулуу, Туруктуу абал 60 60 ℃/Вт
    RqJC Термикалык каршылык-капка, туруктуу абал 6.25 6.25 ℃/Вт
    Символ Параметр Шарттар Мин. Typ. Макс. бирдиги
    BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V, ID=250uA 30 --- --- V
    RDS(ON)d Static Drain-Source On-Resistance VGS=10V , ID=8A --- 14 18.5 мΩ
    VGS=4,5V , ID=5A --- 17 25
    VGS(th) Дарбаза босогосу VGS=VDS, ID =250uA 1.3 1.8 2.3 V
    IDSS Дренаждык булактан агып кетүү агымы VDS=20V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
    VDS=20V, VGS=0V, TJ=85℃ --- --- 30
    IGSS Gate-Source Leakage Current VGS=±20V , VDS=0V --- --- ±100 nA
    Rg Gate Resistance VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 1.7 3.4 Ω
    Qge Жалпы дарбаза заряды VDS=15V, VGS=4,5V, IDS=8A --- 5.2 --- nC
    Qgse Gate-Source Charge --- 1.0 ---
    Qgde Gate-Dren Charge --- 2.8 ---
    Td(on)e Күйгүзүүнүн кечигүү убактысы VDD=15V,RL=15R, IDS=1A,VGEN=10V, RG=6R. --- 6 --- ns
    Tre Rise Time --- 8.6 ---
    Td(off)e Өчүрүү кечигүү убактысы --- 16 ---
    Tfe Күз мезгили --- 3.6 ---
    Cisse Киргизүү сыйымдуулугу VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz --- 545 --- pF
    Коссе Output Capacitance --- 95 ---
    Crsse Reverse Transfer Capacitance --- 55 ---

  • Мурунку:
  • Кийинки:

  • Бул жерге билдирүүңүздү жазып, бизге жөнөтүңүз