WSD25280DN56G N-канал 25V 280A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET продуктусу
WSD25280DN56G MOSFET чыңалуусу 25V, ток 280A, каршылыгы 0,7mΩ, канал N-канал, пакети DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET колдонмо аймактары
Жогорку жыштыктагы синхрондуу、Бак конвертер、Тармактык DC-DC электр системасы、Power Tool колдонмосу,Электрондук тамекилер MOSFET, зымсыз заряддоо MOSFET, дрондор MOSFET, медициналык жардам MOSFET, унаа заряддоочу шаймандар MOSFET, MOSFET контроллерлору, MOSFET санариптик буюмдар, чакан тиричилик техникасы MOSFET, керектөөчү электроника MOSFET.
WINSOK MOSFET башка бренд материалдык номерлерине туура келет
Nxperian MOSFET PSMN1R-4ULD.
POTENS жарым өткөргүч MOSFET PDC262X.
MOSFET параметрлери
| Символ | Параметр | Рейтинг | Бирдиктер |
| VDS | Дренаждын булагы Voltage | 25 | V |
| VGS | Gate-Source Voltage | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Үзгүлтүксүз дренаждык агым（Silicon Limited）1,7 | 280 | A |
| ID@TC=70℃ | Үзгүлтүксүз агып чыгуу агымы (Silicon Limited）1,7 | 190 | A |
| IDM | Импульстук дренаждык ток2 | 600 | A |
| EAS | Single Pulse Avalanche Energy3 | 1200 | mJ |
| IAS | Көчкү агымы | 100 | A |
| PD@TC=25℃ | Толук кубаттуулуктун чыгымдалышы4 | 83 | W |
| TSTG | Сактоо Температура диапазону | -55тен 150гө чейин | ℃ |
| TJ | Иштөө түйүнүнүн температура диапазону | -55тен 150гө чейин | ℃ |
| Символ | Параметр | Шарттар | Мин. | Typ. | Макс. | бирдиги |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, ИD=250уА | 25 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSТемпература коэффициенти | 25ке шилтеме℃, ИD=1мА | --- | 0.022 | --- | V/℃ |
| RDS(КҮЙҮК) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=10V, ID=20А | --- | 0.7 | 0.9 | mΩ |
| VGS=4,5V, ID=20А | --- | 1.4 | 1.9 | |||
| VGS(th) | Дарбаза босогосу | VGS=VDS, ИD=250уА | 1.0 | --- | 2.5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Температура коэффициенти | --- | -6.1 | --- | мВ/℃ | |
| IDSS | Дренаждык булактан агып кетүү агымы | VDS=20В, ВGS=0V, ТJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=20В, ВGS=0V, ТJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±20В, ВDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Forward Transconductance | VDS=5V, ID=10А | --- | 40 | --- | S |
| Rg | Gate Resistance | VDS=0V, ВGS=0V, f=1MHz | --- | 3.8 | 1.5 | Ω |
| Qg | Жалпы дарбаза заряды (4,5 В) | VDS=15В, ВGS=4,5V, ID=20А | --- | 72 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 18 | --- | ||
| Qgd | Gate-Dren Charge | --- | 24 | --- | ||
| Td(күйгүзүлгөн) | Күйгүзүүнүн кечигүү убактысы | VDD=15В, ВГЕН=10V ,RG=1Ω, ИD=10А | --- | 33 | --- | ns |
| Tr | Rise Time | --- | 55 | --- | ||
| Td(өчүрүү) | Өчүрүү кечигүү убактысы | --- | 62 | --- | ||
| Tf | Кулоо убагы | --- | 22 | --- | ||
| Cисс | Киргизүү сыйымдуулугу | VDS=15В, ВGS=0V, f=1MHz | --- | 7752 | --- | pF |
| Coss | Output Capacitance | --- | 1120 | --- | ||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | --- | 650 | --- |
